[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911398448.2 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130833A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极；
在所述阳极上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置；
在所述电子传输层上形成阴极，得到量子点发光二极管。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上形成电子传输层，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置的步骤，包括：
提供ZnO纳米颗粒溶液，在所述量子点发光层上覆盖所述ZnO纳米颗粒溶液，经退火得到ZnO层；
提供ZnMgO纳米颗粒溶液，在所述ZnO层上覆盖所述ZnMgO纳米颗粒溶液，经退火得到ZnMgO层。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，ZnO纳米颗粒的制备方法，包括步骤：将锌盐与碱混合，经反应得到ZnO纳米颗粒。
4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，ZnMgO纳米颗粒的制备方法，包括步骤：将锌盐、镁盐与碱混合，经反应得到ZnMgO纳米颗粒。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述锌盐与镁盐的质量比为(10-20)：1。
6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述锌盐中Zn元素与碱中OH-的摩尔比为1：(1.5-3.0)。
7.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为60-120℃。
8.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层包括叠层设置的ZnO层和ZnMgO层，所述ZnO层靠近所述量子点发光层一侧设置。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述ZnO层的厚度为20-50nm。
10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述ZnMgO层的厚度为20-50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
