[发明专利]一种纳米硅材料及其制备方法有效
申请号: | 201911396836.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN113130857B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 赵明才;张娟;汪炜 | 申请(专利权)人: | 江苏载驰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525;C01B33/02;C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京新慧恒诚知识产权代理有限公司 32424 | 代理人: | 邓唯 |
地址: | 211156 江苏省南京市江宁区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料。在锂/钠离子电池应用中,晶态硅材料首次嵌锂/钠后,形成非晶态区域(硅锂合金)和晶态区域(未嵌锂)复合结构,产生体积膨胀及结构变化;脱锂/钠后,体积收缩导致结构坍塌,即硅颗粒破裂及粉化。为了预先提供足够的嵌锂/钠空间,抑制首次嵌/脱锂/钠的体积变化,本发明提出一种非晶态/纳米晶复合结构及其可控制备方法,即采用火花放电和高能球磨组合工艺,制备具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料,其中,非晶态区域包围纳米晶,纳米晶的晶面取向随机分布,非晶态区域占比范围可控,属各向同性材料。在锂和钠离子电池应用中,该结构可以有效地缓解因嵌/脱锂/钠导致硅材料膨胀/收缩引起的材料破裂和粉化问题,从而提高硅负极的循环性能。
技术领域
本发明涉及非晶态/纳米晶复合结构纳米硅材料,属于锂电池负极材料技术领域。
背景技术
近年来,随着新能源纯电动汽车、插电式混合电动车以及电动工具的快速发展,对锂离子电池的能量密度、安全性及循环稳定性提出了更高的要求。石墨作为锂离子电池商业化负极材料(理论比容量为372 mAh g-1),已经不能满足市场对高能量密度大电池的需求。硅基负极材料由于具有较高的理论比容量4200 mAh g-1,较低的充放电平台(与石墨的电位平台接近)、绿色环保和安全性高等优点,被认为是最具有嵌锂的锂离子电池负极材料。与石墨的层状结构提供锂离子嵌入空间的原理不同,晶体硅是共价四面体结构,嵌锂过程会与锂离子形成合金化合物,随着嵌锂量的增加,将晶体硅逐渐转化为非晶态的硅锂合金并伴随着体积的剧烈膨胀(高达~300%),脱锂过程中,非晶态的硅锂合金逐步由外向内转化为非晶态的硅颗粒,体积会剧烈收缩,反复脱/嵌锂过程引起的体积剧烈变化(~300%以上),导致颗粒机械破损/粉化,固态电解质界面膜(SEI膜)始终处于破坏-重构的动态变化,不断消耗电解液,进而导致材料外部导电环境衰变、电极极化加剧,比容量降低,库伦效率降低等,严重影响其循环性能和倍率性能的发挥,降低了电池寿命。
针对硅体积膨胀的问题,目前主要通过减小硅颗粒的尺寸,例如制备硅纳米颗粒、硅纳米线、硅纳米管以及多孔纳米硅来抑制硅的体积膨胀,从而可以提高硅基负极材料的电化学循环稳定性。不过该上述材料合成方法主要是化学气相沉积法、激光烧蚀法、电子束蒸发法、磁控溅射法以及金属辅助化学刻蚀法,不过这些制备方法对设备要求极高、过程条件苛刻、主要以硅烷或四氯化硅为硅源、成本高而且难以规模化生产。通过上述方法制备的纳米材料大部分是晶态的纳米硅,在充放电中体积膨胀具有各向异性,产生的机械应力分布不均,容易造成材料的破裂及粉碎,难以维持长期的循环性能。
发明内容
本发明提出一种具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料,可以预先提供足够的嵌锂空间,抑制首次脱/嵌锂的体积变化。本发明采用火花放电组合高能球磨工艺,制备具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米硅材料,即非晶区包围着纳米晶区。
利用火花放电加工工艺可制备得到具有非晶态/纳米晶复合结构的微米及亚微米硅材料,块状硅材料作为工件电极,在工件电极与工具电极之间施加脉冲电流,该块状硅材料会发生局部极微小区域的熔化或气化,熔化或气化的材料在冷却液的作用下迅速冷凝,内部结构重构成具有非晶态/纳米晶复合结构的微米及亚微米硅材料,并且冷凝得到的硅颗粒具有极为疏松的结构,特别适合球磨,可以避免球磨过程中颗粒之间产生的冷焊作用,一方面可大大提高球磨效率,另一方面可得到具有非晶态/纳米晶复合结构的纳米材料,而单独采用高能球磨工艺来制备纳米硅颗粒,则不具备此结构,并且由于球磨过程颗粒之间产生的冷焊作用,得到是纳米硅团聚成的微米和亚微米级颗粒。
一种含有非晶/纳米晶结构的纳米硅材料,在所述的纳米硅材料的单个硅纳米颗粒中,是由非晶态区域包裹着晶态区域相互混杂而成,晶态区域的晶面取向是随机分布的。
在一个实施方式中,单个硅纳米颗粒平均尺寸在3-100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏载驰科技股份有限公司,未经江苏载驰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911396836.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。