[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。

技术领域

本发明涉及处理基板的技术。

背景技术

以往，在半导体器件的制造中，使用利用各种各样的种类的处理液对半导体基板(下面，简称为“基板”)进行处理的基板处理装置。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给蚀刻液，对基板的表面进行蚀刻。向蚀刻后的基板供给冲洗液，去除基板上的蚀刻液。然后，通过使基板高速地旋转，进行基板的干燥。

另外，在日本特开2014-112652号公报(文献1)中，公开了一边抑制基板上的图案的倒塌一边使基板干燥的干燥处理。在该干燥处理中，将基板上的冲洗液置换为有机溶剂，然后，对基板进行加热，由此，在基板的上表面与有机溶剂的液膜之间形成有机溶剂的蒸气层。然后，喷射氮气而在液膜上形成孔，并使孔进一步扩大，由此，去除有机溶剂的液膜。在日本特开2016-136599号公报(文献2)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，增大氮气的流量，由此，良好地去除液膜。在日本特开2016-162847号公报(文献3)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，朝向基板的上表面喷射氮气，并且与基板的上表面平行且放射状地喷射气体，由此，抑制雾等附着于上表面。

本发明的发明人确认了如下情况：在上述干燥处理中，在通过基板的加热在上表面与处理液的液膜之间形成处理液的蒸气层时，附着于基板的上表面的异物进入处理液的液膜，与液膜一起漂浮。然而，如上述文献1至3所示，在扩大液膜的孔而去除液膜的情况下，进入液膜的异物的一部分会残留于上表面。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种处理基板的基板处理方法，能够将随着蒸气层的形成而进入处理液的液膜的异物从基板的上表面合适地去除。

本发明的基板处理方法具有：a)工序，向被保持为水平状态的基板的上表面供给第一处理液，形成覆盖所述基板的整个上表面的所述第一处理液的液膜；b)工序，对所述基板进行加热，在所述基板的上表面上的所述第一处理液的所述液膜与所述上表面之间形成所述第一处理液的蒸气层；c)工序，通过向所述基板的上表面供给第二处理液，从所述上表面去除所述第一处理液的所述液膜。

根据本发明，能够将随着蒸气层的形成而进入第一处理液的液膜的异物从基板的上表面合适地去除。

在本发明的一个优选方式中，在所述b)工序中，通过对所述基板进行加热而使所述液膜的与所述基板的上表面接触的部分气化，在所述上表面与所述液膜之间形成所述蒸气层。

在本发明的另一优选的方式中，在所述c)工序中，所述基板的加热为关闭状态。

在本发明的另一优选的方式中，在所述c)工序中，通过使所述基板旋转，去除所述第一处理液的所述液膜。

在本发明的另一优选的方式中，在所述a)工序中使用的所述第一处理液和在所述c)工序中使用的所述第二处理液是同种处理液。

在本发明的另一优选的方式中，基板处理方法还具有：d)工序，在所述c)工序之后，形成覆盖所述基板的整个上表面的所述第二处理液的液膜；e)工序，通过对所述基板进行加热而使所述液膜的与所述基板的上表面接触的部分气化，在所述上表面与所述液膜之间形成蒸气层；f)工序，通过朝向所述蒸气层上的所述液膜的中央部喷射气体，在所述液膜的所述中央部形成孔；g)工序，通过朝向所述孔喷射气体，使所述孔向径向外侧扩大而将所述液膜从所述基板上去除。