[发明专利]带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，包括衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、源极金属（4）、漏极金属（5）、第一钝化层（61）、第二钝化层（62）、P型栅极（7）、栅极金属（8）与肖特基结型场板（9）；其特征是：

在衬底（1）的上表面固定有缓冲层（2），在缓冲层（2）的上表面固定有势垒层（3），在势垒层（3）的上表面固定有源极金属（4）、第一钝化层（61）、P型栅极（7）、肖特基结型场板（9）、第二钝化层（62）与漏极金属（5），源极金属（4）的右端面与第一钝化层（61）的左端面相接，第一钝化层（61）的右端部分延伸到P型栅极（7）的上方，P型栅极（7）的右端面与肖特基结型场板（9）的左端面相接，肖特基结型场板（9）的右端部分延伸到第二钝化层（62）的上方，第二钝化层（62）的右端面与漏极金属（5）的左端面相接；

在延伸到P型栅极（7）上方的第一钝化层（61）上开设有连通孔，在连通孔内以及P型栅极（7）上方的第一钝化层（61）的上表面设有栅极金属（8），且栅极金属（8）和肖特基结型场板（9）采用同一种金属制作。

2.根据权利要求1所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，其特征是：所述源极金属（4）的厚度大于第一钝化层（61）的厚度。

3.根据权利要求1所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，其特征是：所述漏极金属（5）的厚度大于第二钝化层（62）的厚度。

4.根据权利要求1所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，其特征是：所述肖特基结型场板（9）采用功函数在4.6eV~5.8eV之间的金属。

5.一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管的制造方法包括以下步骤：

第一步：利用等离子体增强化学气相沉积设备，在由衬底（1）、缓冲层（2）和势垒层（3）组成的晶圆的上表面沉积P型氮化镓层；

第二步：利用光刻工艺将P型栅极（7）区域以外的P型氮化镓层刻蚀掉而形成P型栅极（7）；

第三步：利用等离子体增强化学气相沉积设备，在势垒层（3）和P型栅极（7）的上表面沉积出钝化层；

第四步：利用刻蚀工艺对钝化层进行刻蚀，将势垒层（3）与源极金属（4）、势垒层（3）与漏极金属（5）以及势垒层（3）与肖特基结型场板（9）相互接触区域上方的钝化层刻蚀掉，形成第二钝化层（62）与右端部分延伸到P型栅极（7）上方的第一钝化层（61）；

第五步：在P型栅极（7）上加工出连通孔，在连通孔内与P型栅极（7）的部分上表面以及肖特基结型场板（9）区域采用同一种金属形成栅极金属（8）和右端部分延伸到第二钝化层（62）上方的肖特基结型场板（9）；

第六步：利用沉积和刻蚀工艺，在对应源极金属（4）和漏极金属（5）位置的势垒层（3）的上表面形成源极金属（4）和漏极金属（5）。

6.根据权利要求5所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征是：所述P型氮化镓层的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3~1×10²¹cm^-3、厚度为60nm~120nm。