[发明专利]一种金属微结构的制备方法在审
申请号: | 201911393197.9 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111041447A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 阚雪芬;殷澄;王进华;陈可 | 申请(专利权)人: | 河海大学常州校区 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C23C14/24;C23C14/16 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 严晓彪 |
地址: | 213022 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 微结构 制备 方法 | ||
1.一种金属微结构的制备方法,其特征在于,采用负电压放电生成的低温等离子体对金属膜进行放电处理,使得金属膜表面产生规则的形貌。
2.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述放电的方式,包括辉光放电、电晕放电。
3.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述等离子体为大气压下低温等离子体。
4.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述金属的材质为金或银。
5.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述金属膜的厚度为纳米级。
6.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,适用于所述负电压放电的装置,包括高压直流负电源,所述高压直流负电源的负极接针电极,正极接金属膜并接地。
7.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述负电压为千伏级别,放电电流为微安级别,放电时间10min内。
8.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述金属膜的制备,包括以下步骤:
S1、依次采用酒精和去离子水对硅片基片进行超声清洗;
S2、将纳米级厚度的金属膜蒸镀于硅片上。
9.根据权利要求8所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中的超声时间为20-40min。
10.根据权利要求1所述的一种金属微结构的制备方法,其特征在于,所述形貌为均匀点状结构。
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