[发明专利]基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201911391638.1 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111162186B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 于军胜;李卓斌;廖小青;李璐 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 轩勇丽 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 阶梯 式多反系间窜 越过 有机 白光 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件,包括发光层,其特征在于,所述的发光层由MCP、DMAC-DPS、4CzPNPh和PO-T2T材料中的4种形成的激基复合物组成,所述发光层具有阶梯式多反系间窜越过程的发光层结构,所述MCP、DMAC-DPS、4CzPNPh和PO-T2T材料的质量比为1:(0.01-0.06):(0.002-0.006):1,具有4个反系间窜越过程。
2.根据权利要求1所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件,其特征在于,所述MCP、DMAC-DPS、4CzPNPh和PO-T2T材料的质量比为1:0.03:0.005:1。
3.根据权利要求1~2任一项所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件,其特征在于,所述发光层的厚度为30~50nm。
4.根据权利要求1~2任一项所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件,其特征在于,所述有机白光发光器件从下到上依次为衬底、导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层与金属阴极。
5.基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将衬底洗净并干燥;
步骤二:采用紫外臭氧处理衬底,制得基片;
步骤三:高真空、高洁净环境下,采用蒸镀方式依次在基片上蒸镀空穴传输层、权利要求1~2任意一项所述的发光层、电子传输层以及金属阴极;
步骤四:蒸镀完成后,将所得器件在隔离环境中进行封装,制得具有阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件。
6.根据权利要求5所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件的制备方法,其特征在于,步骤三中有机层蒸镀速率为0.5 Å/s,金属阴极蒸镀速率为8-15 Å/s。
7.根据权利要求5所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件的制备方法,其特征在于,发光层蒸镀方式为单层四元共蒸。
8.根据权利要求5所述的基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的材料为PO-T2T,厚度为30~40nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择