[发明专利]一种遮光片及其发黑处理方法

权利要求书

1.一种遮光片的发黑处理方法，其特征在于，包括至少一次打底处理和至少一次发黑处理；

所述打底处理具体为将待打底处理的遮光片浸泡于打底液中静置；所述打底液为包括20～40wt％的氢氧化钠、0.5～1.5wt％的氧化剂和0.2～1wt％的络合剂的混合水溶液；

所述发黑处理具体为将待发黑处理的遮光片浸泡于发黑液中均匀抖动；所述发黑液为包括1～5wt％的氢氧化钠或氢氧化钾、5～15wt％的氧化剂和0.2～1wt％的缓蚀剂的混合水溶液。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述打底处理的处理温度为80～120℃，处理时间为120～300s。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发黑处理的处理温度为80～120℃，处理时间为120～300s。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂为过硫酸钾、次氯酸钠、氯酸钠中的至少一种；

所述络合剂为酒石酸钾钠、磷酸钠中的至少一种；

所述缓蚀剂为苯并三氮唑、磷酸三钠中的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待打底处理的遮光片还经过消光处理；所述消光处理具体为将待消光处理的遮光片浸泡于消光液中静置；所述消光液为氧化性强酸和有机缓蚀剂的水溶液，所述溶液中溶质的含量为5-10g/L，其中有机缓蚀剂含量占总溶质含量的0.1-1wt％；所述氧化性强酸为硫酸、硝酸中的至少一种；所述有机缓蚀剂为硫脲、乌洛托品、苯并三氮唑中的至少一种。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述消光处理的温度为25-45℃，处理时间为5-30s。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述待消光处理的遮光片还经过清洁处理；所述清洁处理具体为将待清洁处理的遮光片浸泡于清洁液中静置；所述清洁处理的处理温度为40-60℃，处理时间为300-1200s；所述清洁液中清洁剂的含量为30-80g/L，所述清洁剂为氢氧化钠、三乙醇胺、水玻璃、苯并三氮唑，界面活性剂中的至少一种。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发黑处理后的遮光片还经过烘烤处理；所述烘烤处理具体为将待烘烤处理的遮光片于100-150℃下烘烤600-1200s。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述烘烤处理后的遮光片还经过抛光处理；所述抛光处理具体为将待抛光处理的遮光片与粒径未0.1-1mm的核桃壳磨料放入拋光机中高速旋转抛光。

10.一种经权利要求1-9任一所述处理方法处理得到的遮光片。