[发明专利]纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、发光层和发光二极管。本发明提供的纳米复合材料包括：量子点以及以配位键连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X‑R‑(CFsubgt;3/subgt;)subgt;n/subgt;；其中，R选自烷基，n为正整数。与量子点连接的表面配体含有三氟甲基，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率，从而解决了现有量子点的电荷迁移率较低的问题。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种电致发光器件，由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术。

由于尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等原因，在量子点的合成和应用时需要在量子点的表面添加配体来提高材料的应用性能。目前，在合成油性量子点时，往往在其表面修饰有长链的表面配体如油酸、油胺等，虽然这些配体可以提高量子点在非极性溶剂中的分散性，但是，这类量子点的电荷迁移率较低，有待进一步改善。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种纳米复合材料，旨在解决现有量子点的电荷迁移率较低的问题。

本发明的另一目的在于提供上述纳米复合材料的制备方法。

本发明的又一目的在于提供一种溶液组合物。

本发明的再一目的在于提供一种发光层和发光二极管。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种纳米复合材料，包括：量子点以及连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X-R-(CF₃)_n；

其中，R选自烷基，n为正整数。

本发明提供的纳米复合材料，包括量子点以及与量子点连接的表面配体，其表面配体为X-R-(CF₃)_n，含有三氟甲基，一方面，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率；另一方面，三氟甲基可增加量子点在溶液中的空间位阻，提高量子点在非极性溶剂中的溶解性，从而提高量子的成膜性能；又一方面，三氟甲基可以与量子点表面的悬挂键结合，减少非辐射跃迁损失，提高量子点的发光效率。

相应的，一种纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点和表面配体，所述表面配体为X-R-(CF₃)_n，R选自烷基，n为正整数；

在惰性气体气氛下，将所述量子点和所述表面配体分散在非配位溶剂中，使得所述表面配体连接所述量子点，制备所述纳米复合材料。

本发明提供的纳米复合材料的制备方法，通过将量子点和表面配体在惰性气体气氛下分散在非配位溶剂中，在分散过程中可同步实现表面配体与量子点间连接，无需严格的反应条件或采用特殊的化学试剂，方法简单，操作简便，易于控制，适用于纳米复合材料的规模化量产。

相应的，一种溶液组合物，包括：溶剂和分散在所述溶剂中的量子点，所述量子点的表面连接有表面配体，所述表面配体为X-R-(CF₃)_n；

其中，R选自烷基，n为正整数。