[发明专利]一种非易失性存储器掉电保护方法

说明书

一种非易失性存储器掉电保护方法，属于数据掉电保护领域，其特征在于：在存储器内取两块同样大小的地址空间，分别为地址空间A和地址空间A`；所述地址空间A和地址空间A`内均设置有备份标志标签和备份次数标签；所述地址空间A与地址空间A`轮流作为备份区和目标区；每次数据存储结束后对备份标志标签及备份次数标签同步更新；发生掉电重新上电后，比较两块地址空间A和地址空间A`的备份标志及备份次数，即可判断出数据有效的地址空间，实现非易失性存储器内数据的掉电保护。本发明所述非易失性存储器掉电保护方法不但能保证安全芯片非易失性存储器的数据掉电不丢，而且能提高非易失性存储器数据更新的性能。

技术领域

本发明属于数据掉电保护领域，尤其涉及一种非易失性存储器掉电保护方法。

背景技术

非易失性存储器（NVM）具有数据掉电不丢的特性，因此安全芯片通常用非易失性存储器来存储应用程序、用户数据和系统文件等。在安全芯片工作过程中，如果非易失性存储器正在进行擦除或编程操作时，因某种原因造成芯片突然掉电，非易失性存储器中的数据可能被误改。由于安全芯片的特殊应用，用户的关键信息，都存储于非易失性存储器中，如果这些关键信息被误改，可能对用户造成巨大损失。为了保证用户信息安全，安全芯片对非易失性存储器采取了数据掉电保护机制，该机制能够保证安全芯片无论何时掉电，再上电时储于非易失性存储器中的数据都是可靠的。以往对非易失性存储器的掉电保护都是由软件实现的，芯片需要执行几十条CPU指令才能完成一次数据备份和更新，执行的效率比较低。

发明内容

本发明旨在解决上述问题，提供一种提高执行效率的非易失性存储器掉电保护方法。

本发明所述非易失性存储器掉电保护方法，在存储器内取两块同样大小的地址空间，分别为地址空间A和地址空间A`；所述地址空间A和地址空间A`内均设置有备份标志标签和备份次数标签；所述地址空间A与地址空间A`的物理地址不同，但是逻辑地址相同；所述地址空间A与地址空间A`轮流作为备份区和目标区；每次数据存储结束后对备份标志标签及备份次数标签同步更新；发生掉电重新上电后，比较两块地址空间A和地址空间A`的备份标志及备份次数，即可判断出数据有效的地址空间，实现非易失性存储器内数据的掉电保护。

进一步，本发明所述非易失性存储器掉电保护方法，所述地址空间A内的备份标志标签为flagA，备份次数标签为flagB；所述地址空间A`内的备份标志标签为flagA`，备份次数标签为flagB`；所述flagB和flagB`分别表示地址空间A和地址空间A`对应的逻辑地址被更新的次数；所述flagA和flagA`分别表示地址空间A和地址空间A`内除flagA和flagA`以外的数据是否正确。

进一步，本发明所述非易失性存储器掉电保护方法，所述地址空间A和地址空间A`内数据存储的过程包括如下步骤：

设定地址空间A和区域1’的初始状态均为擦除状态；

1）有第一次写需求时，首先擦除地址空间A，然后将数据写入地址空间A，同时把flagB更新为“1”，表示第1次写入数据；确认数据正确性后将校验结果写入flagA，否则不更新flagA；

2）有第二次写需求时，首先擦除地址空间A`，然后将数据写入地址空间A`，接着读出flagB，并将flagB加1得到的值“2”写入flagB`，表示第2次写入数据；确认数据正确后将校验结果写入flagA`，否则不更新flagA`；

3）有第三次写需求时，首先擦除地址空间A，然后将数据写入地址空间A，接着读出flagB`，并将flagB`加1得到的值“3”写入flagB，表示第3次写入数据；确认数据正确性后将校验结果写入flagA，否则不更新flagA；

4）以此类推，之后每一次有更新需求时，轮流擦写地址空间A和地址空间A`；

5）擦写时突然掉电，上述步骤1）-4）过程将被打乱；再次上电时，首先分别读出两块存储器的地址空间中的全部数据，重新计算flagA和flagA`，并与存储于两块存储器中的flagA和flaglA`进行比对；