[发明专利]一种Mark点图形及其制备方法在审
申请号: | 201911390785.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111106199A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王建;马群东;蔡凯;吴利军 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18;B23K26/364;B41M1/12;B41M1/26;B41M5/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mark 图形 及其 制备 方法 | ||
本发明属于电池制备技术领域,公开了一种Mark点图形及其制备方法,该Mark点图形包括多个同心圆,每个圆的外廓均为虚线,且内外相邻的两个圆的虚实部分交错对应。该制备方法包括:S1、激光设备根据预设坐标在电池片表面的四角处各画出一个预设直径的基圆;S2、在基圆的基础上由内向外进行同心圆式填充或螺旋线式填充得到Mark点基础图形;S3、设置虚实比,并选中Mark点基础图形进行激光打标得到Mark点图形。能有效减少重叠打标的现象,从而减少Mark点区域的损伤,在后续工序中Mark点图形更容易被识别,减少报警次数,同时减少打标时间,提升产能。
技术领域
本发明涉及电池制备技术领域,尤其涉及一种Mark点图形及其制备方法。
背景技术
随着晶硅电池科学与技术的发展,PERC电池已经逐渐成为市场主流,PERC叠加SE技术是一种有效的提升电池效率的技术路径,也是一种容易实现、耗费成本较低的一种技术手段,其中叠加SE技术是通过激光掺杂技术实现的,其中激光掺杂图形Mark点是该技术的一个关键点。
在用激光制作选择性发射极结构中,需要打出电池在印刷时的对位Mark点,一般需要四个在固定位置的圆点,分别位于硅片的四个角区域,这四个Mark点是相互独立的,制作过程中需要激光器单独打标,Mark点打标时间的长短影响整台设备的产能。
如图1所示,目前行业内常规的Mark点图形1’是一组同心圆,而制作Mark点图形1’采用的激光都是圆形光斑且光斑直径为120um,同心圆图形外圆直径为500um,内部共有4个圆,激光打标的时候会在内部两圆交界处重叠打标,这样同一位置经过两次激光打标之后会出现损伤的情况,损伤在丝印相机下不容易被识别而造成设备报警,且会在一定程度对电池片的转换效率造成影响,严重影响产线产能。
因此,亟需提出一种新型的Mark点图形及其制备方法,来解决现有技术中存在的上述技术问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种Mark点图形,减少了Mark点图形的重复打标,从而减少了Mark点区域的损伤,同时减少打标时间,提升产能。
本发明的另一个目的在于提供一种Mark点图形的制备方法,能减少Mark点区域的损伤,减少报警次数,同时减少打标时间,提升产能。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种Mark点图形,包括多个同心圆,每个圆的外廓均为虚线,且内外相邻的两个圆的虚实部分交错对应。
作为上述Mark点图形的优选技术方案,所述同心圆的数量设置为四个。
一种如上所述的Mark点图形的制备方法,包括以下步骤:
S1、激光设备根据预设坐标在电池片表面的四角处各画出一个预设直径的基圆;
S2、在所述基圆的基础上由内向外进行同心圆式填充或螺旋线式填充得到Mark点基础图形;
S3、设置虚实比,并选中所述Mark点基础图形进行激光打标得到所述Mark点图形。
作为上述Mark点图形的制备方法的优选技术方案,所述基圆的所述预设直径为0.6mm。
作为上述Mark点图形的制备方法的优选技术方案,步骤S2中,所述同心圆式填充过程中的填充圈距为0.06mm。
作为上述Mark点图形的制备方法的优选技术方案,所述Mark点基础图形包括四个同心圆。
作为上述Mark点图形的制备方法的优选技术方案,在步骤S3中,设置虚实比包括选择脉冲挑选功能,并设定脉冲周期数和脉冲选中数;或
设置虚实比包括选择虚实线设定功能,并设定实线和虚线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的