[发明专利]复合电极及其制备方法、量子点发光二极管

权利要求书

1.一种复合电极，其特征在于，包括：相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜，以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜，其中，所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质，所述碳基质为三维碳材料。

2.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，碳原子和钼原子的摩尔比为8:2~5:5。

3.如权利要求1项所述的复合电极，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜的厚度为6nm~15nm。

4.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，碳化钼的粒径为3nm~10nm。

5.如权利要求1至4任一所述的复合电极，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，所述碳基质选自碳纳米管、石墨、碳纤维中的至少一种。

6.如权利要求1至4任一项所述的复合电极，其特征在于，所述第一二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm；和/或

所述第二二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm。

7.一种复合电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备第一二氧化锡薄膜；

配置钼源和碳基质的混合溶液，所述碳基质为三维碳材料，对所述混合溶液进行微波照射处理，制备碳负载碳化钼；将所述碳负载碳化钼沉积在所述第一二氧化锡薄膜背离所述基板的表面，制备碳负载碳化钼薄膜；

在所述碳负载碳化钼薄膜背离所述第一二氧化锡薄膜的表面，制备第二二氧化锡薄膜，得到复合电极。

8.如权利要求7所述的复合电极的制备方法，其特征在于，对所述混合溶液进行微波照射处理，制备碳负载碳化钼的步骤中，所述微波照射处理的功率为600W-1000W，照射时间为1min~20min。

9.如权利要求7或8所述的复合电极的制备方法，其特征在于，配置钼源和碳基质的混合溶液的步骤中，按照碳原子和钼原子的摩尔比为8:2~5:5的比例，将钼源和碳基质配置成混合溶液。

10.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极为复合电极，包括相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜，以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜，其中，所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质，所述碳基质为三维碳材料。

11.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，碳原子和钼原子的摩尔比为8:2~5:5。

12.如权利要求10项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，碳化钼的粒径为3nm~10nm。

13.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜中，所述碳基质选自碳纳米管、石墨、碳纤维中的至少一种。

14.如权利要求10至13任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碳负载碳化钼薄膜的厚度为6nm~15nm。

15.如权利要求14所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm；和/或

所述第二二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm。

16.如权利要求10至13、15任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极的厚度为25nm~65nm，且所述碳负载碳化钼薄膜的厚度为6nm~15nm，所述第一二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm，所述第二二氧化锡薄膜的厚度为10-30 nm。