[发明专利]一种柔性薄膜晶体管制备方法

权利要求书

1.一种柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、取金属丝依次进行绝缘层材料沉积、有源层材料沉积和浸光刻胶；

步骤2、烘干后，将所述金属丝两端固定后通过间隔透光设置的第一光刻板进行均匀曝光，形成多个第一次曝光部分；

步骤3、将曝光后的所述金属丝进行显影，所述多个第一次曝光部分的光刻胶溶于显影液，暴露出有源层；

步骤4、将暴露的有源层进行腐蚀处理暴露出绝缘层；

步骤5、将所述金属丝上剩余的光刻胶清洗掉，暴露出剩余的多个有源层；

步骤6、将所述金属丝再次浸过光刻胶；

步骤7、烘干后将所述金属丝两端固定后通过间隔透光设置的第二光刻板进行均匀曝光，形成多个第二次曝光部分；

步骤8、将第二次曝光后的所述金属丝进行显影，所述多个第二次曝光部分的光刻胶溶于显影液，暴露出有源层；

步骤9、将所述金属丝沉积源漏电极，然后清洗掉剩余的光刻胶并烘干；

步骤10、将所述金属丝进行退火，在所述金属丝上得到所述柔性薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述金属丝的直径为50～2000μm。

3.如权利要求2所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述金属丝为铁、铜、铝、银、金、钛、钨、铬、锌、钼或铂。

4.如权利要求3所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤1中，所述绝缘层材料为SiO₂。

5.如权利要求4所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述绝缘层材料通过等离子增强化学气相沉积设备进行，所述等离子增强化学气相沉积的环境为射频功率范围为50～150W，温度范围为100～400℃，压力范围0.2～1.0torr，SiH₄流量范围10～50sccm，N₂O流量范围50～200sccm，SiO₂薄膜厚度范围50～300nm。

6.如权利要求5所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤1中，所述有源层材料为ZnO。

7.如权利要求6所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤1中，所述有源层材料通过射频磁控溅射反应室进行的有源层材料沉积，所述射频磁控溅射反应条件为ZnO靶溅射功率为20～200W，温度为室温～400℃，压力3～50mtorr，Ar/O₂为9:1～2:1，沉积时间5～100min，ZnO薄膜厚度20～200nm。

8.如权利要求7所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤2中，所述第一光刻板的间隔为所述柔性薄膜晶体管长度，透光宽度为所述柔性薄膜晶体管之间的距离。

9.如权利要求8所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤7中，所述第二光刻板的间隔为所述步骤5中一个有源层的长度。

10.如权利要求9所述的柔性薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在步骤10中，通过快速退火炉进行退火，退火温度为100～500℃，时间10～100分钟。