[发明专利]一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法

权利要求书

1.一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

101)裸芯制备步骤：采用机械切割刀将晶圆进行切割得到单颗裸芯片；载板上表面涂覆上厚度为5微米至100微米的胶层；将单颗裸芯片放到涂覆胶层的载片上；

102)裸芯修正步骤：将步骤101)处理后的载板上表面涂覆填充胶，且填充胶完全覆盖载板上全部的单颗裸芯片；通过化学机械抛光的方式将正面涂覆的填充胶减薄到与单颗裸芯片等平面的高度；

在填充胶上表面涂覆光刻胶，并通过曝光显影技术修正图形结构，再通过刻蚀工艺将填充胶刻蚀出所需要的修正图形，并去除多余的光刻胶；进行分割形成单个带有已修正芯片的载片；

103)制备步骤：将步骤102)处理后的带有已修正芯片的载片放入带有焊料的硅空腔凹槽的底板晶圆中，将放好后的整个底板晶圆放入回流炉中回流得到相应模组结构，再对相应模组结构进行去除胶层，得到最终的嵌入式内埋芯片的结构。

2.根据权利要求书1所述的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，其特征在于：步骤101)中的胶层的涂覆方式为旋涂、刮胶或贴放固态坚膜；胶层采用的胶为临时键合胶、光解除胶或热解除胶。

3.根据权利要求书1所述的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，其特征在于：步骤102)中的填充胶采用树脂、高分子材料或大分子材料；涂覆填充胶的方式采用旋涂或刮胶。

4.根据权利要求书1所述的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，其特征在于：步骤102)中的光刻胶的涂覆方式采用旋涂、刮胶或粘贴干膜；光刻胶采用正胶或负胶；刻蚀工艺采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.根据权利要求书1所述的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，其特征在于：步骤102)中的分割的方式采用机械切割、激光切割或正面腐蚀加背面减薄的方式进行切割。