[发明专利]一种化学气相沉积装置

说明书

本发明公开了一种化学气相沉积装置，包括反应室，所述反应室内设置有遮蔽组件，所述遮蔽组件沿周长方向与所述反应室的内壁连接；所述遮蔽组件至少一个边角处设置有缺口，缺口与所述反应室的内壁之间形成气流通道本发明中所述遮蔽组件除所述缺口部位，其他部位均与所述反应室的内壁密封连接，从而使所述遮蔽组件与所述反应室的内壁连接的部位均对气流起到导向作用，将气流引导至气流通道，而气流通道覆盖所述遮蔽组件和所述反应室的边角，所述遮蔽组件和所述反应室的边角处有充分的蚀刻气体流过，以使得所述遮蔽组件和所述反应室的边角被充分的清洗，从而避免所述遮蔽组件和所述反应室的边角残留粒子源。

技术领域

本发明涉及半导体制作设备技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

现有化学气相沉积装置包括反应室，反应室内设置有由遮蔽组件和基座构成的遮蔽组件，为了将反应室的的内壁以及其他区域的沉积物进行清洗，现有技术中通过向反应室内充入蚀刻气体，并将蚀刻气体排出，通过蚀刻气体在反应室内流动时与沉积物反应，从而将沉积物从反应室内移除。

但是遮蔽组件的边角处蚀刻气体经过量少，所以清洗气体在遮蔽组件的四个边角的停留时间短，浓度低，导致遮蔽组件四个边角处残膜聚集。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种化学气相沉积装置，旨在解决现有技术中遮蔽组件边角处沉积物不易清除的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种化学气相沉积装置，包括反应室，其中，所述反应室内设置有遮蔽组件，所述遮蔽组件沿周长方向与所述反应室的内壁连接；所述遮蔽组件至少一个边角处设置有缺口，缺口与所述反应室的内壁之间形成气流通道。

所述化学气相沉积装置，其中，所述遮蔽组件的四个边角处均设置有缺口，以形成四个气流通道。

所述化学气相沉积装置，其中，所述遮蔽组件包括基座、设置在所述基座的上方的遮蔽板、以及四个导向板；所述遮蔽板为四边形方框，所述四个导向板分别将所述遮蔽板的四个侧边与所述反应室的内壁连接；相邻两个导向板之间间隔设置，以形成缺口。

所述化学气相沉积装置，其中，与所述遮蔽板的长边连接的导向板的长度小于所述遮蔽板的长边的长度；与所述遮蔽板的短边连接的导向板的长度小于所述遮蔽板的短边的长度。

所述化学气相沉积装置，其中，与所述遮蔽板的长边连接的导向板的中心与所述遮蔽板的长边的中心相对应；与所述遮蔽板的短边连接的导向板的中心与所述遮蔽板的短边的中心相对应，以形成L型缺口。

所述化学气相沉积装置，其中，与所述遮蔽板的长边连接的导向板的长度大于所述遮蔽板的长边的长度的1/2；与所述遮蔽板的短边连接的导向板的长度大于所述遮蔽板的短边的长度的1/2。

所述化学气相沉积装置，其中，导向板与所述遮蔽板可拆卸连接。

所述化学气相沉积装置，其中，导向板位于所述遮蔽板的下方，并与所述遮蔽板部分重叠。

所述化学气相沉积装置，其中，所述反应室具有进气孔，所述进气孔位于所述遮蔽组件的上方，所述进气孔的中心轴线垂直于所述遮蔽组件。

所述化学气相沉积装置，其中，所述反应室具有排气孔，所述排气孔位于所述遮蔽组件的下方；所述遮蔽组件与所述排气孔的距离大于所述遮蔽组件与所述排气孔的距离。