[发明专利]一种光刻曝光方法、装置和光刻系统

说明书

本发明实施例公开了一种光刻曝光方法、装置和光刻系统。该光刻曝光方法，包括：获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置；按照预设的多种固定分组类型，分别对衬底上阵列排布的多个集成电路单元进行划分；计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对衬底上的集成电路单元进行曝光。本发明实施例解决了现有的光刻曝光方法光刻效率较低的问题，可以提高曝光效率，实现曝光良率和曝光效率的兼顾，有助于提升曝光制程的产率。

技术领域

本发明实施例涉及光刻机领域，尤其涉及一种光刻曝光方法、装置和光刻系统。

背景技术

光刻工艺是利用光刻胶通过曝光、显影等步骤，将掩模版上的图形转移到晶片上，使晶片上具有想要制作的器件的光刻胶图形形貌，再通过化学或者物理方法，将图形结构转移到晶片上。在进行晶片的光刻时，需要先将晶片阵列排布在衬底上，再对位依次对各晶片进行曝光。然而，由于晶片在放置到衬底上时存在精度误差，故而使得晶片并未精确地放置到预设的位置，进而在进行曝光时会存在曝光误差。

现有的曝光方法是对阵列排布的晶片在曝光时依次进行曝光参数的调节，以弥补晶片位置不准确造成的曝光的误差。然而，对阵列排布的晶片依次进行曝光的过程大大降低了晶片的光刻效率，降低了芯片的制备产率。

发明内容

本发明提供一种光刻曝光方法、装置和光刻系统，以提高晶片的曝光效率，改善芯片产率。

第一方面，本发明实施例提供了一种光刻曝光方法，包括：

获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置，所述集成电路单元阵列排布在所述衬底上；

按照预设的多种固定分组类型，分别对所述衬底上阵列排布的多个所述集成电路单元进行划分；其中，每种固定分组类型下，所有的集成电路单元形成相同的多个集成电路单元组合，每个集成电路单元组合中包括至少一个所述集成电路单元；

计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；其中，各所述集成电路单元按照所述掩模曝光调整参数曝光后，所有对位标记的实际标记位置与对应的预设标记位置的总偏差最小；

按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；其中，所述预设评价函数的评价因子包括集成电路单元组合的合格率和对应的集成电路组合中的集成电路单元数量；

根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对所述衬底上的所述集成电路单元进行曝光。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光刻曝光装置，包括：

对位标记获取模块，用于获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置，所述集成电路单元阵列排布在所述衬底上；

分组划分模块，用于按照预设的多种固定分组类型，分别对所述衬底上阵列排布的多个所述集成电路单元进行划分；其中，每种固定分组类型下，所有的集成电路单元形成相同的多个集成电路单元组合，每个集成电路单元组合中包括至少一个所述集成电路单元；

合格率计算模块，用于计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；其中，各所述集成电路单元按照所述掩模曝光调整参数曝光后，所有对位标记的实际标记位置与对应的预设标记位置的总偏差最小；

最优固定分组类型确定模块，用于按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；其中，所述预设评价函数的评价因子包括集成电路单元组合的合格率和对应的集成电路组合中的集成电路单元数量；