[发明专利]纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括Alq₃纳米材料和掺杂在Alq₃晶格中的Er元素。

2.如权利要求1所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米材料由Alq₃纳米材料和掺杂在Alq₃晶格中的Er元素组成，以所述纳米材料的总质量为100％计，所述Er元素的重量百分含量为5％～15％。

3.如权利要求1或2所述的纳米材料，其特征在于，掺杂在Alq₃晶格中的金属Er的纯度为99.9％～99.99％。

4.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供金属Er和Alq₃，分别置于蒸发室中；

提供真空环境，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀，且所述共蒸镀的步骤中，调节：所述金属Er的蒸发电流为30A～33A、蒸发速率为所述Alq₃的蒸发电流为35A～38A，蒸发速率为制备得到Er元素掺杂到Alq₃晶格中的纳米材料。

5.如权利要求4所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀的步骤中，所述共蒸镀的时间为1min～5min。

6.如权利要求4所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀的步骤中，所述真空环境的真空度为2×10^-4Pa～5×10^-4Pa。

7.如权利要求4至6任一项所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述金属Er的纯度为99.9％～99.99％。

8.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输层，所述电子传输层的材料包括Alq₃纳米材料和掺杂在Alq₃晶格中的Er元素。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料由Alq₃纳米材料和掺杂在Alq₃晶格中的Er元素组成，以所述电子传输层的材料的总质量为100％计，所述Er元素的重量百分含量为5％～15％。

10.如权利要求8或9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为30nm～70nm。

11.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，将所述基板置于蒸镀室中；提供金属Er和Alq₃，分别置于蒸发室中；

提供真空环境，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀，且所述共蒸镀的步骤中，调节：所述金属Er的蒸发电流为30A～33A、蒸发速率为所述Alq₃的蒸发电流为35A～38A，蒸发速率为在所述基板上沉积Er元素掺杂到Alq₃晶格中形成的电子传输层。

12.如权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀的步骤中，所述共蒸镀的时间为3min～5min。

13.如权利要求11或12所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述金属Er和所述Alq₃进行共蒸镀的步骤中，所述真空环境的真空度为2×10^-4Pa～5×10^-4Pa。

14.如权利要求11或12所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属Er的纯度为99.9％～99.99％。