[发明专利]工艺传感器

权利要求书

1.一种工艺传感器，用于检测工艺角，其特征在于，所述工艺传感器包括：

自偏置基准电路，包括第一基准电路和第二基准电路，所述第一基准电路包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极和集电极接地，所述第二三极管的基极和集电极接地，所述第二三极管的基极面积为所述第一三极管的基极面积的整数倍，所述第一基准电路适于输出所述第二三极管的基极-发射极电压作为第一参考电压，所述第二基准电路包括第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极短接，所述第一NMOS晶体管的源极接地，所述第二基准电路适于输出所述第一NMOS晶体管的漏极电压作为第二参考电压；

第一电压电流转换电路，与所述第一基准电路耦接，适于接收所述第一参考电压并根据所述第一参考电压输出第一电流，所述第一电流与所述第一参考电压成正比例关系；

第二电压电流转换电路，与所述第二基准电路耦接，适于接收所述第二参考电压并根据所述第二参考电压输出第二电流，所述第二电流与所述第二参考电压成正比例关系；

电流电压转换电路，与所述第一电压电流转换电路以及所述第二电压电流转换电路耦接，适于根据所述第一电流和第二电流获得输出电压，所述输出电压与所述第二参考电压和第一参考电压的差值相关。

2.如权利要求1所述的工艺传感器，其特征在于，所述第一基准电路还包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第一运算放大器，所述第二基准电路还包括第五PMOS晶体，其中，

所述第一PMOS晶体管的源极与电源电压耦接；

所述第二PMOS晶体管的源极与所述电源电压耦接，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二PMOS晶体管的栅极耦接；

所述第三PMOS晶体管的源极和第一PMOS晶体管的漏极耦接，所述第三PMOS晶体管的栅极和漏极耦接，所述第三PMOS晶体管的漏极和所述第一三极管的发射极耦接；

所述第四PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的漏极耦接，所述第四PMOS晶体管的栅极和漏极耦接，所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第二三极管的发射极耦接，所述第四PMOS晶体管的宽长比是所述第三PMOS晶体管的宽长比的整数倍；

所述第一运算放大器的同向输入端和所述第一PMOS晶体管的漏极耦接，所述第一运算放大器的反向输入端和所述第二PMOS晶体管的漏极耦接，所述第一运算放大器适于使所述第一PMOS晶体管的漏极电压和第二PMOS晶体管的漏极电压相等；

所述第五PMOS晶体的源极与所述电源电压耦接，所述第五PMOS晶体的栅极与所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极耦接，所述第五PMOS晶体的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极耦接。

3.如权利要求2所述的工艺传感器，其特征在于，所述第二基准电路还包括位于所述第五PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间的第六PMOS晶体管，所述第六PMOS晶体管的源极和所述第一PMOS晶体管的漏极耦接，所述第六PMOS晶体管的栅极和漏极短接，所述第六PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极耦接。

4.如权利要求2所述的工艺传感器，其特征在于，所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的宽长比均相等。

5.如权利要求3所述的工艺传感器，其特征在于，所述第六PMOS晶体管和第四PMOS晶体管的宽长比相等。