[发明专利]误差放大器及开关电源在审

专利信息
申请号: 201911382855.4 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111162743A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 冯杰;徐平;胡琅;胡强;侯立涛;郭远军;李晓峰;黄丽玲;黄星星 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: H03F3/68 分类号: H03F3/68;H03F3/45;H03F1/02;H03F1/32
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;黄家豪
地址: 528200 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 误差 放大器 开关电源
【权利要求书】:

1.一种误差放大器,应用开关电源,其特征在于,所述误差放大器包括:

一偏置电路,其产生第一偏置电流、第二偏置电流以及预设偏置电压;

一第一级放大电路,其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流,其两个输入端输入差分信号,其输出端输出误差电压信号;

一第二级放大电路,其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管,所述第七PMOS管的栅极与所述偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区,所述第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号,所述第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端,所述第七NMOS管的源极接地,所述第四PMOS管的源极与所述偏置电路连接以获取第二预设偏置电流。

2.根据权利要求1所述的误差放大器,其特征在于,所述第一级放大电路为差分放大电路。

3.根据权利要求2所述的误差放大器,其特征在于,所述第一级放大电路包括第三PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第五NMOS管以及第六NMOS管;

所述第三PMOS管的源极接入预设供电电压,所述第三PMOS管的栅极与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流,所述第三PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的源极以及所述第六PMOS管的源极连接,所述第五PMOS管的漏极、所述第五NMOS管的栅极以及漏极、所述第六NMOS管的栅极连接,所述第五NMOS管的源极接地,所述第六NMOS管的源极接地,所述第六NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接作为所述第一级放大电路的误差电压输出端;所述第六PMOS管栅极以及所述第五PMOS管的栅极接入差分电压信号。

4.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,所述偏置电路包括第一PMOS管以及第二PMOS管;

所述第一PMOS管的源极以及所述第二PMOS管的源极连接并接入预设供电电压;

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极以及漏极连接于第二公共节点,所述第二公共节点分别与所述第三PMOS管的栅极以及所述第四PMOS管的栅极连接,以分别给所述第三PMOS管的栅极以及所述第四PMOS管提供偏置电流。

5.根据权利要求4所述的误差放大器,其特征在于,所述偏置电路还包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管;

所述第一NMOS管的栅极以及漏极、所述第二NMOS管的栅极以及所述第一PMOS管的漏极连接于第三公共节点,所述第三公共节点与所述第七PMOS管连接;

所述第一NMOS管的源极、所述第三NMOS管的栅极以及漏极、第四NMOS管的栅极连接,所述第三NMOS管的源极接地,所述第四NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接,所述第四NMOS管的源极与地连接。

6.根据权利要求5所述的误差放大器,其特征在于,所述偏置电路还包括一电阻,所述第四NMOS管的源通过所述电阻接地。

7.根据权利要求6所述的误差放大器,其特征在于,通过调整所述第六PMOS管的宽长比、第六NMOS管的宽长比以及第三PMOS管的漏极电流来调整所述第一级放大电路的增益。

8.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,通过调整所述第七NMOS管的宽长比、第四PMOS管的宽长比以及所述第四PMOS管的漏极电流以调整所述第二级放大电路的增益。

9.根据权利要求3所述的误差放大器,其特征在于,通过调整所述第七PMOS管P7的宽长比以及所述第一电容的电容值来调整所述第二级放大电路的相位裕度。

10.一种开关电源,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的误差放大器。

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