[发明专利]一种具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体及其制备方法

权利要求书

1.一种具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，其特征在于，包括微波/毫米波裸芯片（101）和用于封装微波/毫米波裸芯片（101）的封装结构，封装结构包括依次设置于微波/毫米波裸芯片（101）上的封装介质层（107）和封装金属布线层（109），所述封装金属布线层（109）用于引出来自裸芯片表层金属（106）的信号；

所述微波/毫米波裸芯片（101）包括由下向上设置的裸芯片背金（103）、衬底（104）、裸芯片介质层（105）和裸芯片表层金属（106）；

所述微波/毫米波裸芯片（101）设置有穿过衬底（104）的圆柱状金属化孔（102）；

所述封装介质层（107）设有封装金属化孔（108）；

所述封装金属布线层（109）的顶面平整，构成金属地平面；

所述封装金属布线层（109）上的金属地平面通过所述封装金属化孔（108）、所述裸芯片表层金属（106）、所述圆柱状金属化孔（102）与所述裸芯片背金（103）相连接，并且有效接地；

所述封装介质层（107）和所述封装金属布线层（109）分别至少有两层；所述封装介质层（107）的厚度为8~10um；

在最上层的封装金属布线层（109）的表面采用烧结或粘接方式堆叠其它芯片（110），完成芯片堆叠封装。

2.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，其特征在于，所述封装金属布线层（109）采用沉积金属金形成。

3.根据权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，其特征在于，封装金属化孔（108）通过在封装介质层（107）上设置开窗（111），再经沉积金属形成。

4.根据权利要求3所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，其特征在于，所述沉积金属为金。

5.根据权利要求1至4任一项所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体，其特征在于，所述封装介质层（107）采用聚酰亚胺材料。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：在待封装的微波/毫米波裸芯片（101）表面设置封装介质层（107）；

步骤二：在封装介质层（107）上设置开窗（111）；

步骤三：在开窗后的封装介质层（107）上设置阻挡层（113），并在阻挡层（113）上刻蚀出待布设种子层（112）的区域；

采用气相沉积方法在开窗后的封装介质层（107）上依次形成种子层（112）和金属线层，种子层（112）和金属线层共同构成封装金属布线层（109）；

步骤四：去除阻挡层（113），完成单层微波/毫米波裸芯片（101）的封装，形成单层芯片封装体。

7.根据权利要求6所述的具有电磁屏蔽功能的芯片堆叠封装体的制备方法，其特征在于，步骤一中，对待封装的微波/毫米波裸芯片（101）表面进行清洁处理，采用匀胶机在微波/毫米波裸芯片（101）表面涂覆一层封装介质层（107）。