[发明专利]宽带小型化上变频组件在审
申请号: | 201911382347.6 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111130461A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 梁锋;陈舟;李司中;滕衍强;许颖;潘浒;朱翰韬;李剑平 | 申请(专利权)人: | 中国航天科工集团八五一一研究所 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16;H04B1/04 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱沉雁 |
地址: | 210007 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽带 小型化 变频 组件 | ||
1.一种宽带小型化上变频组件,工作频段覆盖6~18GHz,其特征在于:包括第一带通滤波器、中频变频多功能芯片、温补衰减器、第一带阻滤波器、第二带通滤波器、第二带阻滤波器、宽带变频多功能芯片、3D硅基开关滤波器组、放大调制数控衰减多功能芯片;其中,输入的中频信号经过第一带通滤波器进行滤波,接着经过中频变频多功能芯片放大后变频后输出给温补衰减器,再经过第一带阻滤波器、第二带通滤波器、第二带阻滤波器进行滤波,最后经宽带变频多功能芯片进行放大和第二次变频并输出给3D硅基开关滤波器组,信号经过3D硅基开关滤波器组分选后输出给放大调制数控衰减多功能芯片,放大调制数控衰减多功能芯片有两路输出,一路输出给后级功分电路,同时片内级间功分一路给检波电路。
2.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:第一带通滤波器为微型化LC电路,适应微组装工艺,用来滤除输入信号带外的杂波信号,通带频率:0.2~2.2GHz,通带插损小于1.9dB,抑制大于30dB@2.4GHz,45dB@2.6~4GHz,尺寸为10mm×7.5mm×2.5mm。
3.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:中频变频多功能芯片具备输入本振信号放大和变频功能,将输入信号变频到2.8~4.8GHz。
4.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:第一带阻滤波器和和第二带阻滤波器均为微带带阻滤波器,适应微组装工艺,它们的通带频率:2.8~4.8GHz,通带插损小于1dB,抑制大于25dB@4998~5002MHz,尺寸为10mm×10mm ×3.5mm。
5.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:第二带通滤波器为多层MEMS滤波器,其通带频率:2.8~4.8GHz,通带插损小于2dB,抑制大于30dB@2.2GHz,25dB@5.3GHz,尺寸为5.4mm×7.3mm×0.8mm,性能好、尺寸小、屏蔽性好。
6.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:宽带变频多功能芯片具备输入本振信号放大和变频功能,将输入信号变频到6~18GHz。
7.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:3D硅基开关滤波器组在硅基板上集成了单刀双开关、单刀四开关和7路MEMS滤波器,实现对6~18GHz的射频信号进行分段滤波。
8.根据权利要求1或7所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:所述3D硅基开关滤波器组由四层硅基片堆叠而成,自下向上依次编号,位于最下方的为第一层,在第一层和第二层硅基片之间制作了4路微带滤波器,在第三层和第四层硅基片之间制作了3路微带滤波器,通过金属化通孔将上述7路微带滤波器的输入输出端口均连接到第二层和第三层硅基片间金属层制作的带状线上,此带状线与装配在硅片间的开关芯片用键合金丝连接,此架构的高集成度保证了开关滤波器组电路比传统架构体积减小了90%以上。
9.根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:放大调制数控衰减多功能芯片内部集成了多级放大器、单刀单开关、数控衰减器和功分器等,实现了对输入信号的放大、调制和数控衰减功能。
10. 根据权利要求1所述的宽带小型化上变频组件,其特征在于:温补衰减器的工作频率:DC~18GHz,常温衰减4 dB,全温补偿范围4 dB。
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