[发明专利]一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法在审
| 申请号： | 201911381624.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111132466A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 龚文;罗志军;陈海力;黄见 | 申请（专利权）人： | 苏州晶台光电有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 215699 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻止 pcb 表面 发生 金属 离子 迁移 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将需镀膜处理的PCB板进行等离子清洗；
S2：将清洗后的PCB板放置在衬板上，其中镀膜处理面朝上；
S3：将衬板放进镀膜真空设备内进行抽真空处理，真空度控制在10-3至10-5Pa之间；
S4：对PCB板进行镀膜处理，镀膜材料为SiO2、TiO2、Al2O2、Si3N4、AlN中的一种或多种，镀膜工艺为电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积中的一种，镀膜温度控制在50-120摄氏度之间；
S5：镀膜完成后，待PCB板冷却至室温后取出，并及时放入氮气柜进行保存。
2.根据权利要求1所述的一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，镀膜厚度控制在10-1000nm之间。
3.根据权利要求1所述的一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，真空度控制在10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，镀膜材料采用SiO2。
5.根据权利要求1所述的一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，镀膜工艺采用磁控溅射。
6.根据权利要求1所述的一种阻止PCB表面发生金属离子迁移的方法，其特征在于，镀膜温度为100摄氏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶台光电有限公司，未经苏州晶台光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911381624.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
