[发明专利]一种半导体用镀铜添加剂有效

专利信息
申请号: 201911381062.0 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111118558B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 刘晓霞;邹文涛;鲁文锋;解伟;徐波 申请(专利权)人: 江苏赛夫特半导体材料检测技术有限公司
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;C25D7/12
代理公司: 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 代理人: 汤俊明
地址: 215300 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 镀铜 添加剂
【权利要求书】:

1.一种半导体用镀铜添加剂,其特征在于,所述添加剂的制备原料至少包括A组分;所述A组分包括10~60g/L聚乙二醇、0.01~1g/L铜盐、1~10g/L无机酸以及超纯水;

所述聚乙二醇包括PEG-400、PEG-800以及PEG-2000;

所述添加剂的制备原料还包括B组分;所述添加剂的制备原料还包括C组分,所述A组分、B组分、C组分的重量比为1:(0.5~1 .5):(0.1~0.8);

所述B组分包括3~25g/L含硫的烷基磺酸钠、0 .01~1g/L铜盐、1~10g/L无机酸以及超纯水;

所述C组分包括10~60g/L聚丙烯酰胺、0.01~1g/L铜盐以及超纯水;

所述聚丙烯酰胺包括阴离子聚丙烯酰胺与阳离子聚丙烯酰胺;阴离子聚丙烯酰胺与阳离子聚丙烯酰胺的重量比为1:(2 .5~5 .5)。

2.根据权利要求1所述添加剂,其特征在于,按质量浓度计,所述A组分包括15~50g/L聚乙二醇、0.1~1g/L铜盐、3~8g/L无机酸以及超纯水。

3.根据权利要求1所述添加剂,其特征在于,按质量浓度计,所述B组分包括5~20g/L含硫的烷基磺酸钠、0.1~1g/L铜盐、3~10g/L无机酸以及超纯水。

4.根据权利要求1所述添加剂,其特征在于,所述含硫的烷基磺酸钠选自聚二硫二丙烷磺酸钠、2-噻唑啉基聚二硫丙烷磺酸钠、苯基聚二硫丙烷磺酸钠、醇硫基丙烷磺酸钠、苯基二硫丙烷磺酸钠、二巯基丙磺酸钠、3-硫-异硫脲丙磺酸内盐、3-硫基-1-丙磺酸钠盐、二甲基二硫甲酰胺磺酸、3-(苯并噻唑-2-硫代)-丙磺酸钠盐、甲基(磺基丙基)二硫化物二钠盐、甲基(磺基丙基)三硫化物二钠盐、2-巯基乙基磺酸钠盐中的一种或几种的组合。

5.根据权利要求1-4任一项所述添加剂,其特征在于,所述A组分的液体颗粒的粒径大于等于0.1μm;所述B组分的液体颗粒的粒径大于等于0.1μm。

6.一种根据权利要求1-5任一项所述添加剂的制备方法,其特征在于,至少包括如下步骤:

(1)制备A组分;

(2)制备B组分;

(3)制备C组分;

(4)将A组分、B组分、C组分独立分装,在使用时,将A组分、B组分、C组分于室温混合,即得所述添加剂。

7.一种半导体用镀铜酸性电镀液,其特征在于,所述电镀液包括如权利要求1-5任一项所述添加剂。

8.根据权利要求7所述电镀液,其特征在于,所述电镀液还包括30~50mg/L氯离子。

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