[发明专利]一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶有效
| 申请号： | 201911380301.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110983434B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘春俊;雍庆;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 豆贝贝 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 降低 碳化硅 缺陷 生长 方法 质量 | ||
【权利要求书】：
1.一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法，包括以下步骤：
取直径为100mm的4H-SiC籽晶一片，选择C面作为晶体生长面；选择一个带卡槽的石墨坩埚，坩埚内径为120mm，首先在坩埚底部装入足量的SiC粉末原料，然后在坩埚卡槽内放入一块圆柱状碳化硅单晶块；碳化硅单晶块直径为122mm，厚度为1mm，碳化硅单晶块底部距离碳化硅粉末水平面距离为15mm，碳化硅单晶块顶部距离籽晶底部距离为25mm；
将装有上述SiC原料、SiC籽晶、碳化硅单晶块的坩埚结构装入到石墨坩埚的生长炉中，设定原料处温度在2200～2300℃，籽晶处温度低于原料150℃，生长，得到4H-SiC晶体。
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