[发明专利]发光器件及其基板与制作方法有效
申请号: | 201911379831.3 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN112331696B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 陈亚文;史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G03F7/42 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 秦冉冉 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制作方法 | ||
本发明涉及一种发光器件及其基板、提高基板表面平坦性的方法,该发光器件基板的制作方法通过对包含有机光阻材料及溶剂的涂层先进行预烘去除溶剂形成有机光阻层,避免直接固化时溶剂挥发影响成膜均匀性,再通过曝光、显影去除有机光阻层上对应凸起结构的区域的部分厚度的有机光阻材料,减小该区域与其他区域的有机光阻材料在固化时收缩量不同导致成膜不均匀的影响,形成平坦程度更高的平坦层,在此平坦层上沉积第一电极,最终可获得平整的几乎无段差的第一电极,从而提高发光器件的发光均匀性。
技术领域
本发明涉及发光器件领域,特别是涉及一种发光器件及其基板与制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)具有自发光、 反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,因而成为目前显示器件的两个主要研 究方向。采用溶液加工方法制作OLED以及QLED显示器,由于具有低成本、 高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。
其中,采用顶发射型器件结构时可以获得较大的显示面板开口率。但是顶 发射型器件结构在发光单元下方存在走线、电容结构以及部分薄膜晶体管阵列 结构,导致阳极不平。由于薄膜晶体管阵列形成膜层较多,遮光层以及源漏电 极层在发光单元下方存在,导致此区域的整体膜层偏高,相对应的阳极在此区 域偏高,因此产生阳极内的段差。图1示出了一种形成于基底12上的顶栅结构 的薄膜晶体管的电容结构,凸起部分13主要为由遮光层14/栅极绝缘层15/源漏 电极16形成的电容产生的,其凸出于覆盖其上的保护层17,在阳极形成后,此 凸起部分13上方与其他区域上方的电极厚度不同,最终将导致像素内的发光不 均匀。特别是对于通过印刷工艺制作的显示器件来说非常不利,段差的存在会 进一步恶化像素内的成膜均匀性,最终影响面板的显示效果。发明人研究发现, 采用在薄膜晶体管的保护层制作完成后涂布有机光阻材料,干燥形成平坦层的 方法进行平坦化,然后在平坦层上沉积阳极,还是会出现段差,一般降低段差 的水准最多约为80%,平坦效果并不是很理想。
发明内容
基于此,有必要提供一种发光器件及其基板与制作方法,以解决传统的形 成平坦层的方法平坦效果不理想的问题。
一种发光器件基板的制作方法,包括以下步骤:
在具有凸起结构的衬底的表面上制作有机光阻层,使所述有机光阻层覆盖 所述凸起结构;
通过半曝光、显影去除所述有机光阻层的特定区域的部分厚度,所述特定 区域为所述有机光阻层覆盖在所述凸起结构上的区域;
对所述有机光阻层余下的部分进行后烘固化,形成平坦层。
在其中一个实施例中,通过半曝光、显影去除所述有机光阻层的所述特定 区域的厚度按式Ⅰ计算:
C=m·(D/X-D) 式Ⅰ;
其中,C为通过半曝光、显影去除的所述有机光阻层的所述特定区域的厚度, D为所述凸起结构凸出于所述衬底的表面的高度,X为所述有机光阻层的材料 的固化收缩率,0.5<m≤1.5。
在其中一个实施例中,0.8<m≤1.2。
在其中一个实施例中,m=1。
在其中一个实施例中,在所述后烘固化的步骤之前,还包括步骤:在所述 有机光阻层的所述特定区域以外的区域制作用于与TFT驱动阵列的源漏极电连 接的过孔。
在其中一个实施例中,所述衬底上设置有TFT驱动阵列,所述凸起结构是 由所述TFT驱动阵列凸出于所述衬底的表面形成。
在其中一个实施例中,所述有机光阻材料为正性有机光阻材料。
一种发光器件的基板,通过上述任一实施例的制作方法制作得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的