[发明专利]一种基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法在审

专利信息
申请号: 201911378353.4 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111007378A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 伍伟;李岩松;陈勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 陈选中
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 短路 电流 采样率 igbt 估算 方法
【权利要求书】:

1.一种基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、搭建用于产生短路电流的硬件模块,并提取短路电流信号;

S2、采用压缩感知方法处理提取到的短路电流信号,得到压缩数据;

S3、采用数字信号处理方法还原压缩数据,获取与短路电流信号相对应的数字信号;

S4、获取并根据数字信号中的峰值获取IGBT结温数据,完成基于短路电流的低采样率IGBT结温估算。

2.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法,其特征在于,所述步骤S1中用于产生短路电流的硬件模块包括待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT;所述待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT的输入端分别与待测IGBT的输出端相连接,所述待测IGBT的余相IGBT和旁路IGBT的输出端均接地;所述旁路IGBT的栅极与外部驱动相连接;所述旁路IGBT的输入端和输出端为短路电流信号的提取点。

3.根据权利要求2所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法,其特征在于,所述外部驱动包括型号为1ED020I12-F的芯片。

4.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法,其特征在于,所述步骤S1中提取短路电流信号的具体方法为:

采用PEM罗氏线圈来提取短路电流信号。

5.根据权利要求1所述的基于短路电流的低采样率IGBT结温估算方法,其特征在于,所述步骤S4中根据数字信号中的峰值获取IGBT结温数据的具体方法为:

根据公式:

I=0.3453T+211.48

获取IGBT结温数据T;其中I为数字信号中的峰值。

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