[发明专利]一种碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法在审
申请号: | 201911377703.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111061318A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 彭雨晴;信吉平 | 申请(专利权)人: | 清华大学无锡应用技术研究院 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20;C04B41/00;C04B41/50;C04B41/87 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云;黄莹 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 涂层 沉积 炉温 数字 孪生 控制 方法 | ||
1.一种碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域,并在各控制区域内分别安装温度传感器;
(2)采集各控制区域内的温度传感器检测到的各控制区域的实际温度值并传送给数字孪生设备;
(3)数字孪生设备将各控制区域的实际温度值与各控制区域的理论温度值一一进行对比,计算出各控制区域的实际温度值与各控制区域的理论温度值之间的差值;
(4)根据得到的各控制区域的实际温度值与各控制区域的理论温度值之间的差值对各控制区域进行温度补偿。
2.如权利要求1所述的碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法,其特征在于:以沉积炉的竖向中心线为轴线,沿着沉积炉的周向划分出多个呈扇形的控制区域。
3.如权利要求1或2所述的碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法,其特征在于:所述数字孪生设备包括与各控制区域内的温度传感器连接的实时数据采集传输模块,实时数据采集传输模块的信号输出端分别通过数据孪生服务器、模型数据库与过程控制器连接,过程控制器的控制信号输出端通过控制总线连接现场控制设备。
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