[发明专利]磁传感器装置

权利要求书

1.一种磁传感器装置，具备：

第一磁传感器，其生成与第一检测对象磁场对应的第一检测值；和

软磁性结构体，其由软磁性材料构成，

所述磁传感器装置的特征在于，

所述第一磁传感器和所述软磁性结构体通过一个支承部支承，并且以如下方式构成，对所述第一磁传感器施加包含所述第一检测对象磁场的外部磁场时，也对所述软磁性结构体施加所述外部磁场，且所述软磁性结构体具有磁化时，基于所述软磁性结构体的磁化的磁场施加于所述第一磁传感器，

所述外部磁场的强度在预定的可变范围内变化，

将施加于所述软磁性结构体的与预定方向平行的方向的磁场的强度设为施加磁场强度，且将对应于所述软磁性结构体的磁化的与所述预定方向平行的方向的成分的值设为磁化对应值，将所述施加磁场强度和所述磁化对应值以正交的两个轴表示的正交坐标系中，使所述施加磁场强度变化时表示所述施加磁场强度和所述磁化对应值的坐标的轨迹描绘的回线中，将由该回线包围的区域的面积最大的回线设为主磁滞回线时，若所述外部磁场的强度在所述预定的可变范围内变化，则所述正交坐标系中，表示所述施加磁场强度和所述磁化对应值的坐标在形成于由所述主磁滞回线包围的区域内的、不与所述主磁滞回线连接的小磁滞回线上移动。

2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，

还具备第二磁传感器，该第二磁传感器生成与第二检测对象磁场对应的第二检测值，

所述第一检测对象磁场为与所述外部磁场的第一方向平行的方向的成分，

所述第二检测对象磁场为与所述外部磁场的第二方向平行的方向的成分，

沿着与所述第二方向平行的方向观察时，所述软磁性结构体以不与所述第一磁传感器重合而与所述第二磁传感器重合的方式配置。

3.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述软磁性结构体包含接受所述第二检测对象磁场并输出与所述第二方向交叉的方向的输出磁场成分的磁场转换部，

所述输出磁场成分的强度与所述第二检测对象磁场的强度具有对应关系，

所述第二磁传感器检测所述输出磁场成分的强度。

4.根据权利要求3所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述软磁性结构体还包含至少一个软磁性层。

5.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述第一方向及所述第二方向相互正交。

6.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于，

还具备第三磁传感器，该第三磁传感器生成与第三检测对象磁场对应的第三检测值，

所述第三检测对象磁场为与所述外部磁场的第三方向平行的方向的成分，

所述第三磁传感器和所述软磁性结构体以如下方式构成，对所述第三磁传感器施加所述外部磁场时，也对所述软磁性结构体施加所述外部磁场，且所述软磁性结构体具有磁化时，基于所述软磁性结构体的磁化的磁场施加于所述第三磁传感器。

7.根据权利要求6所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互正交。

8.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述小磁滞回线以初磁化曲线上的点为起点。

9.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述软磁性结构体的至少一部分具有条纹状磁畴结构。

10.根据权利要求9所述的磁传感器装置，其特征在于，

所述预定的可变范围是绝对值为21.6Oe以下的范围。