[发明专利]磁传感器装置

说明书

本发明提供一种磁传感器装置，其具备磁传感器和配置于其附近的软磁性结构体。磁传感器和软磁性结构体以如下方式构成，对磁传感器施加包含检测对象磁场的外部磁场时，也对软磁性结构体施加外部磁场，且软磁性结构体具有磁化时，基于软磁性结构体的磁化的磁场施加于磁传感器。软磁性结构体具有条纹状磁畴结构。

技术领域

本发明涉及包含磁传感器和软磁性结构体的磁传感器装置。

背景技术

近年来，在各种用途中利用着磁传感器。作为磁传感器，已知有使用了设置于基板上的多个磁检测元件的磁传感器。作为磁检测元件，例如使用磁阻效应元件。

国际公开第2011/068146号中记载有在支承体上设置有X轴磁传感器、Y轴磁传感器及Z轴磁传感器的地磁传感器。该地磁传感器中，Z轴磁传感器包含磁阻效应元件和软磁性体。软磁性体将与Z轴平行的方向的垂直磁场成分转换成与Z轴垂直的方向的水平磁场成分，并将该水平磁场成分赋予于磁阻效应元件。

日本国专利申请公开平7-249518号公报中记载有包含条纹状磁畴结构的软磁性薄膜的磁头。日本国专利申请公开平7-249518号公报中记载了，通过使用条纹状磁畴结构的软磁性薄膜，即使是在膜面内具备单轴各向异性容易不均的软磁性薄膜的磁头，也能够实现在所有的方向上呈现较高的高频导磁率的磁头。

在此，考虑包含检测水平方向的磁场成分的第一磁传感器、配置于该第一磁传感器的水平方向附近的软磁性结构体的磁传感器装置。软磁性结构体通过软磁性材料构成。另外，软磁性结构体不是第一磁传感器的构成要素。作为这种磁传感器装置的例子，具有国际公开第2011/068146号所记载的地磁传感器。该地磁传感器中，X轴磁传感器和Y轴磁传感器与第一磁传感器对应，Z轴磁传感器的软磁性体与软磁性结构体对应。

上述的磁传感器装置中，软磁性结构体具有磁滞特性(hysteresis/滞后)时，由于该磁滞特性，第一磁传感器的检测值具有磁滞特性，其结果，存在第一磁传感器的检测精度降低的问题点。以下，对其详细地说明。在软磁性结构体具有磁滞特性的情况下，由于外部磁场，软磁性结构体暂时具有磁化后，即使外部磁场成为零，软磁性结构体中也残留有某个大小的磁化。基于该磁化的磁场施加于第一磁传感器。其结果，外部磁场成为零时的第一磁传感器的检测值与理想值不同。另外，由于外部磁场成为零之前的外部磁场的方向及大小不同，外部磁场成为零时，残留于软磁性结构体的磁化的方向及大小不同。因此，由于外部磁场成为零之前的外部磁场的方向及大小不同，外部磁场成为零时的第一磁传感器的检测值不同。这样，第一磁传感器的检测值具有磁滞特性。

以往，上述的磁传感器装置中，为了改善第一磁传感器的检测精度，未考虑将不是第一磁传感器的构成要素的软磁性结构体的磁特性最佳化。

此外，日本国专利申请公开平7-249518号公报中，如上述，记载有包含条纹状磁畴结构的软磁性薄膜的磁头。软磁性薄膜为磁头的构成要素。因此，日本国专利申请公开平7-249518号公报的磁头与软磁性薄膜的关系与上述的磁传感器装置的第一磁传感器与软磁性结构体的关系不同。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种磁传感器装置，能够抑制配置于磁传感器附近的软磁性结构体的磁滞特性所引起的磁传感器的检测精度的降低。

本发明提供一种磁传感器装置，具备：第一磁传感器，其生成与第一检测对象磁场对应的第一检测值；和软磁性结构体，其由软磁性材料构成。第一磁传感器和软磁性结构体以软磁性结构体具有磁化时，基于软磁性结构体的磁化的磁场施加于第一磁传感器的方式构成。软磁性结构体的至少一部分具有条纹状磁畴结构。

本发明的磁传感器装置也可以还具备第二磁传感器，该第二磁传感器生成与第二检测对象磁场对应的第二检测值。在该情况下，第一检测对象磁场也可以是与外部磁场的第一方向平行的方向的成分，第二检测对象磁场也可以是与外部磁场的第二方向平行的方向的成分。另外，沿着与第二方向平行的方向观察时，软磁性结构体也可以以不与第一磁传感器重合而与第二磁传感器重合的方式配置。