[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911376545.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111146078B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张志荣;郭艳敏;尹甲运;王波;高楠;房玉龙;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张沙沙 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 aln 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法至少包括以下步骤：
步骤a、将清洗后的衬底放入反应腔内，并对衬底进行热处理；
步骤b、向所述反应腔内通入氮源；
步骤c、将所述反应腔内的温度升至预设的第一温度，并向所述反应腔内通入Al源，以进行AlN层的生长，所述第一温度为1150℃-1300℃；
步骤d、当达到预设条件时，停止向所述反应腔内通入Al源，并将所述反应腔内的温度降至预设的第二温度，以终止当前AlN层的生长，所述第二温度为20-200℃；
步骤e、重复进行N-1次所述步骤c至所述步骤d的操作，以生长出包括N层AlN层的AlN薄膜，其中，N为大于1的整数，所述AlN层的厚度的取值范围为1nm-1000nm。
2.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述热处理的条件为：氢气气氛，热处理温度为800℃-1300℃，热处理时间为300s-2000s。
3.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述氮源为NH3。
4.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述Al源为三甲基铝。
5.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述AlN层的生长压力为30-700mbar。
6.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤e中，所述AlN薄膜的厚度为10nm-20cm。
7.如权利要求1所述的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：步骤e中，所述N为3-5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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