[发明专利]射频引入装置及半导体加工设备

权利要求书

1.一种射频引入装置，用于向位于半导体工艺炉内部的晶舟引入射频，其特征在于，包括：支撑机构、前射频机构及后射频机构；

所述支撑机构包括支撑杆，且所述支撑杆的第一端与所述半导体工艺炉的炉口连接，所述支撑杆的第二端与半导体工艺炉的炉尾连接；

所述前射频机构及所述后射频机构并列设置于所述支撑杆上，用于承载所述晶舟；

所述前射频机构靠近所述支撑杆的第一端设置，所述后射频机构靠近所述支撑杆的第二端设置；

所述前射频机构与所述晶舟的一端电连接，所述后射频机构与所述晶舟的另一端电连接。

2.如权利要求1所述的射频引入装置，其特征在于，所述支撑机构包括并列设置的两个所述支撑杆，并且所述支撑杆的第一端、第二端均与所述半导体工艺炉的法兰连接。

3.如权利要求2所述的射频引入装置，其特征在于，

所述前射频机构包括两个前承载块，两个所述前承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述晶舟的前端；所述后射频机构包括两个后承载块，两个所述后承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述晶舟的后端；

所述前射频机构还包括前引入件及前引入部，所述前引入件设置于所述支撑杆上，并且位于所述后射频机构与所述支撑杆的第二端之间，所述前引入件与所述前引入部电连接；

所述前射频机构还包括有连接杆，所述连接杆的两端分别与所述前承载块及所述前引入件电连接。

4.如权利要求3所述的射频引入装置，其特征在于，所述连接杆包覆有绝缘套。

5.如权利要求3所述的射频引入装置，其特征在于，所述前射频机构还包括有定位件，所述定位件固定设置于所述支撑杆上，用于定位所述前承载块。

6.如权利要求5所述的射频引入装置，其特征在于，所述定位件上设置有凸块，所述前承载块上设置有卡槽，所述凸块与所述卡槽配合设置，以定位所述前承载块。

7.如权利要求3所述的射频引入装置，其特征在于，所述后射频机构还包括有后引入件及后引入部，所述后引入件设置于两个所述后承载块之间，且所述后引入件与两个所述后承载块电连接，所述后引入部与所述后引入件电连接。

8.如权利要求2所述的射频引入装置，其特征在于，所述支撑机构还包括有多个支撑块及多个压板，多个所述支撑块分别套设于所述支撑杆的第一端及所述支撑杆的第二端的端部上，且所述支撑块通过所述压板设置于所述法兰上。

9.如权利要求2所述的射频引入装置，其特征在于，所述支撑杆内设置有用于提高所述支撑杆的强韧度的防护杆。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括半导体工艺炉及如权利要求1至9任一项所述的射频引入装置。