[发明专利]离子注入机清洁方法

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及离子注入工艺中的离子注入机清洁方法。包括：确定离子注入过程中的在前离子源种类和待转换离子源种类；施加电场，根据在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得第一处理气体电离形成第一处理离子束；使得第一处理离子束对离子注入机的反应室进行第一阶段清洁处理；根据待转换离子源种类，向离子注入机中通入第二处理气体，使得第二处理气体电离形成第二处理离子束；使得第二处理离子束照射离子注入机的反应室和管路，对离子注入机的反应室和管路进行第二阶段清洁处理。本发明根据离子源种类，向离子注入机中通入不同的清洁气体，可以解决相关技术难以适应各种离子注入过程中的清洁需求问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及离子注入工艺中的离子注入机清洁方法。

背景技术

注入工艺作为半导体制造工艺流程中的重要一环，尤其是集成前段涉及到的离子注入步骤非常多，因此离子注入的效率对半导体制造厂的产能意义重大。

当机台在完成一次离子注入后，离子源的反应室以及管路内会附着有沉积物，若不及时清除，附着的沉积物会在下一次离子注入时受热挥发，污染下一次注入过程中的离子。因此，相关技术中，在切换气体源之前，通常采用氩离子束轰击离子源反应室内壁，以去除离子源反应室沉积的沉积物。

然而，随着离子注入技术的发展，注入工艺中所需的离子种类日渐繁多，仅通过氩离子束清洁技术，难以适应各种离子注入过程中的清洁需求，从而降低清洁效率，使得离子源反应室内残留沉积物。

发明内容

本发明提供了一种离子注入机清洁方法，可以解决相关技术难以适应各种离子注入过程中的清洁需求问题。

一方面更，本发明一种离子注入机清洁方法，包括以下步骤：

确定离子注入过程中的在前离子源种类；

确定离子注入过程中的待转换离子源种类；

施加电场，根据所述在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得所述第一处理气体电离形成第一处理离子束；

使得所述第一处理离子束对所述离子注入机的反应室进行第一阶段清洁处理；

根据所述待转换离子源种类，向所述离子注入机中通入第二处理气体，使得所述第二处理气体电离形成第二处理离子束；

使得所述第二处理离子束照射所述离子注入机的反应室和管路，对所述离子注入机的反应室和管路进行第二阶段清洁处理。

可选的，所述在前离子源种类包括：砷烷、三氟化硼、磷烷和四氟化锗中的任意一种。

可选的，所述待转换离子源种类，包括：砷烷、三氟化硼、磷烷和四氟化锗中的任意一种。

可选的，所述根据所述在前离子注入过程中的离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，对所述离子注入机的反应室和管路进行第一阶段清洁处理，包括：

根据所述在前离子注入过程中的离子源种类，向离子注入机中通入氩气，对所述离子注入机的反应室和管路进行第一阶段清洁处理。

可选的，所述施加电场，根据所述在前离子源种类，向离子注入机中通入第一处理气体，使得所述第一处理气体电离形成第一处理离子束，包括：

施加电场；

根据所在前离子源种类，向所述离子注入机中通入第一处理气体；

施加的电场使得所述第一处理气体电离形成离子；

将所述第一处理气体电离形成的离子加速，形成能量范围为60keV～80keV的第一处理离子束。

可选的，所述第一阶段清洁处理的时间为3min～20min。