[发明专利]一种LED制备方法与待剥离LED结构

权利要求书

1.一种LED制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，其中，所述衬底的一面上设置有周期性凸台结构；

沿所述衬底制作第一掩膜层，其中，所述第一掩膜层包括凹陷区，所述凹陷区的底部露出所述衬底上的凸台结构，且所述凹陷区的底部宽度小于顶部宽度；

沿所述凹陷区内凸台结构的表面制作缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖于所述凸台结构的表面；

沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层；其中，所述基板层与所述凸台结构之间形成生长空洞；其中，所述凸台结构的台面平行于c面；

沿所述基板层的表面生长LED本体；

腐蚀所述第一掩膜层与所述基板层，以获取芯片本体，其中，所述芯片本体包括LED本体。

2.如权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，在所述沿所述凹陷区内的凸台结构的表面生长缓冲层的步骤之前，所述方法还包括:

沿所述凹陷区内的衬底的表面制作至少一个第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层与所述第一掩膜层连接；

所述腐蚀所述第一掩膜层与所述基板层，以获取芯片本体的步骤包括：

腐蚀所述第一掩膜层、第二掩膜层以及所述基板层，以获取芯片本体。

3.如权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，在所述沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层的步骤之后，所述方法还包括：

沿所述基板层的表面沉积间隔设置的腐蚀中断层，其中，所述腐蚀中断层与所述第一掩膜层不连接；

在所述基板层与所述腐蚀中断层的表面生长合并层；

所述沿所述基板层的表面生长LED本体步骤包括：

沿所述合并层的表面生长LED本体。

4.如权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述凹陷区包括第一倾斜区与第二倾斜区，且所述第一倾斜区与衬底法线的夹角大于所述第二倾斜区与衬底法线的夹角；所述沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层的步骤包括：

沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层，直至所述基板层覆盖所述第一倾斜区；

所述沿所述基板层的表面生长LED本体的步骤包括：

沿所述基板层的表面依次生长N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层，其中，所述N型半导体层、所述量子阱层以及所述P型半导体层均位于所述第二倾斜区内。

5.如权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述沿所述凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层的步骤包括：

沿所述凸台结构的c面生成基板层，以使所述基板层与所述凸台结构之间形成生长空洞；其中，所述衬底材料的表面为c面，所述凸台结构中仅台面与所述衬底的c面平行。

6.一种待剥离LED结构，其特征在于，所述待剥离LED结构包括：

衬底，其中，所述衬底的一面上设置有周期性凸台结构；

与所述衬底连接的第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括凹陷区，所述凹陷区的底部露出所述衬底上的凸台结构，且所述凹陷区的底部宽度小于顶部宽度；

与衬底连接的缓冲层；其中，所述缓冲层覆盖于所述凸台结构的表面；其中，所述凸台结构的台面平行于c面；

与所述缓冲层连接的基板层；其中，所述基板层与所述凸台结构之间形成生长空洞；

与所述基板层连接的LED本体。

7.如权利要求6所述的待剥离LED结构，其特征在于，所述待剥离LED结构还包括至少一个第二掩膜层，所述第二掩膜层设置于所述凹陷区内，且所述第二掩膜层与所述第一掩膜层连接。

8.如权利要求7所述的待剥离LED结构，其特征在于，所述待剥离LED结构还包括腐蚀中断层与合并层，所述腐蚀中断层间隔地与所述基板层连接，所述基板层覆盖于所述第二掩膜层上，所述合并层覆盖于所述基板层与所述腐蚀中断层上，所述LED本体与所述合并层远离所述衬底的一面连接，且所述腐蚀中断层与所述第一掩膜层不连接。