[发明专利]透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜

说明书

本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜，详细而言，涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。

背景技术

一直以来，以期望的电极图案形成有包含铟锡复合氧化物(ITO)的透明导电层的透明导电性薄膜被用于触摸面板等光学用途。另外，近年来，由在触摸面板中流通的电流产生的电磁波会影响OLED、LCD等图像显示装置等，因此为了遮蔽该电磁波，也提出了在触摸面板与图像显示装置之间配置非图案化的透明导电性薄膜。

作为透明导电性薄膜，例如，专利文献1中公开了一种透明导电性薄膜，其依次具备：透明树脂薄膜、硬涂层、折射率1.65～1.90的中间层、和透明导电层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-62609号公报

发明内容

发明要解决的问题

通常，具备ITO的透明导电性薄膜通过加热而使ITO结晶化，从而使导电性(低电阻)良好。

另一方面，作为透明树脂薄膜，从具有透明性、偏光性等各种功能的观点出发，有时使用环烯烃系薄膜。但是，这样的环烯烃系薄膜由于玻璃化转变点低、耐热性低，因此不能在高温下进行热处理。另外，若在低温下进行加热，则加热时间变长，导致生产率差。

本发明提供低温下的结晶化速度良好、导电性优异的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包含一种透明导电性薄膜，其具备：透明基材、和配置于前述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层，前述透明导电层为非晶质，前述透明导电层在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。

本发明[2]包含[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述Hf区域配置于前述Sn区域的厚度方向一侧。

本发明[3]包含[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层的厚度为10nm以上且35nm以下。

本发明[4]包含[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明基材为环烯烃系薄膜。

本发明[5]包含一种结晶性透明导电性薄膜，其是将[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜的前述透明导电层结晶化而成的。

发明的效果

根据本发明的透明导电性薄膜，其具备透明基材和透明导电层，透明导电层在厚度方向具有由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域。因此，低温下的结晶化速度良好，导电性优异。

另外，根据本发明的结晶性透明导电性薄膜，生产率良好、导电性优异。

附图说明

图1示出本发明的透明导电性薄膜的第1实施方式的截面图。

图2示出将图1所示的透明导电性薄膜结晶化而得到的结晶性透明导电性薄膜。

图3示出本发明的透明导电性薄膜的第1实施方式的变形例(不具有Sn/Hf混合区域的形态)示出。