[发明专利]图像显示装置以及图像显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 201911374186.6 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111403429A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 秋元肇 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L21/66;G09G3/32 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种图像显示装置,其中,
具备多个像素,分别包含能够以红色、绿色以及蓝色分别发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素,
所述多个像素中的至少1个像素的所述多个第1子像素中的任1个具有1个缺陷子像素,
在所述缺陷子像素为应以红色或者绿色发光的子像素的情况下,
所述第2子像素包含发光元件、和设置于所述发光元件且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述多个第1子像素分别包含:
以蓝色进行发光的第1发光元件、和设置于所述第1发光元件且将蓝色的发光色转换为红色的第1波长转换层;
以蓝色进行发光的第2发光元件、和设置于所述第2发光元件且将蓝色的发光色转换为绿色的第2波长转换层;以及
以蓝色进行发光的第3发光元件。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述多个第1子像素分别包含:
以红色、绿色以及蓝色进行发光的发光元件。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述发光元件是以紫外色进行发光的发光元件。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述缺陷子像素具有比规定的亮度低的亮度。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述缺陷子像素具有比规定的亮度高的亮度。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置,其中,
所述缺陷子像素具有不透射色的层。
8.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述图像显示装置还具备:
驱动电路,基于所供给的图像信号的数据,分别驱动所述多个第1子像素并通过所述多个像素再现所述图像信号的数据,
所述驱动电路具有所述缺陷子像素及剩余的所述子像素的位置、分别确定发光色的位置以及发光色的数据,基于所述位置以及发光色的数据,以所述缺陷子像素应发光的发光色的亮度驱动所述第2子像素。
9.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
所述多个第1子像素以及所述第2子像素包含无机半导体发光元件。
10.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
设置于所述第2子像素且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层包含荧光体材料。
11.根据权利要求1所述的图像显示装置,其中,
设置于所述第2子像素且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层包含量子点材料。
12.一种图像显示装置的制造方法,该图像显示装置包含分别能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素,其中,
所述图像显示装置的制造方法具备:
缺陷子像素检测工序,准备分别使所述多个第1子像素发光的多个第1发光元件以及使所述第2子像素发光的第2发光元件,点亮所述多个第1发光元件,取得所点亮的所述多个第1发光元件的图像数据,对所述图像数据进行图像解析,分别设定所述多个第1发光元件中的缺陷发光元件及没有缺陷的剩余的发光元件的位置以及发光色的数据,存储所述位置以及所述发光色的数据;和
波长转换层形成工序,在所述多个第1发光元件分别形成波长转换层,
所述波长转换层形成工序包含:在所述多个第1发光元件中的应以红色或者绿色发光的子像素包含所述缺陷发光元件的情况下,基于所述位置以及所述发光色的数据,在所述第2发光元件形成波长转换为应在所述缺陷发光元件的位置发光的发光色的波长转换层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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