[发明专利]半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备

说明书

本发明提供了一种半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备，根据所接收到的用户发出的模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型，并对调整后的该结构模型进行内部环境分析，当判断所得到的分析结果符合预设结果时，根据调整后的该结构模型，对半导体设备的设备结构进行调整，以控制该半导体设备的内部环境。该方法首先通过调整分析半导体设备的结构模型，使其满足预期效果，然后按照调整后的结构模型调整实际半导体设备的结构，即可满足半导体加工器件对半导体设备内部环境的要求，从而提高半导体器件生产良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备。

背景技术

集成电路(IC)制造是电子信息产业的核心，是推动国民经济和社会信息化发展的最主要的高新技术之一。半导体设备内部微环境，对半导体器件生产良率有重要影响。在半导体器件加工过程中，大部分半导体设备要求设备内部环境保持对外部环境相对正压，在形成正压的同时，半导体设备内部通常会存在紊流，如果紊流处于对半导体器件加工工艺影响较大的位置，会对半导体器件生产良率产生不利影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体设备内部环境的调整方法，以提高半导体器件生产良率。

本发明提供的一种半导体设备内部环境的调整方法，所述方法包括：接收用户发出的模型调整指令；根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型；对调整后的所述结构模型进行内部环境分析，得到分析结果；判断所述分析结果是否符合预设结果；如果符合，根据调整后的所述结构模型，对所述半导体设备的设备结构进行调整，以控制所述半导体设备的内部环境。

进一步的，所述半导体设备包括多个分区；根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型的步骤，包括：根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型中的进风口位置，排风口位置，以及所述多个分区之间的通路，其中，所述通路包括：通路大小、通路位置和通路结构。

进一步的，所述方法还包括：如果不符合，继续执行接收用户发出的模型调整指令的步骤，直至所述分析结果符合所述预设结果。

进一步的，如果所述半导体设备的至少一个分区中，同时包含待排出的液体和待排出的气体，则所述半导体设备的至少一个分区中还包括排液口、排风口和分离模块；所述分离模块用于分离所述待排出的液体和所述待排出的气体的流向，以使所述待排出的液体通过所述排液口排出，所述待排出的气体通过所述排风口排出。

进一步的，所述半导体设备具有周期性开闭窗口，所述方法还包括：在每个开闭周期过程中，针对所述半导体设备的每个分区，采集所述分区的气压数据；将所述分区的气压数据与所述分区的预设气压数据进行比较，输出差异值；根据所述差异值，调整所述分区的进风量；其中，所述差异值的数量为一个或多个。

进一步的，根据所述差异值，调整所述分区的进风量的步骤，包括：判断所述差异值是否超出预设范围；如果所述差异值未超出所述预设范围，选取其中最大的差异值；判断所述最大的差异值是否具有周期性；如果所述最大的差异值具有周期性，计算所述最大的差异值的周期与所述分区的开闭窗口的周期的对应关系；根据所述对应关系，调整所述分区的进风量。

进一步的，所述根据所述对应关系，调整所述分区的进风量的步骤之后，所述方法还包括：如果所述差异值超出所述预设范围，则发出报警指示或停止运行所述半导体设备，以对所述半导体设备进行维护。

进一步的，所述方法还包括：如果所述最大的差异值不具有周期性，则根据所述最大的差异值，调整所述分区的进风量。

进一步的，根据所述对应关系，调整所述分区的进风量的步骤，包括：基于所述对应关系，建立回归模型；基于历史最优解集合，对所述回归模型进行回归分析，输出调整所述进风量的最优解；将所述最优解更新至所述历史最优解集合中；根据所述最优解，调整所述分区的进风量。