[发明专利]一种低介电常数液晶聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数液晶聚合物，其特征在于，所述低介电常数液晶聚合物包括如下重量份的组分：

全芳香族液晶聚酯树脂 50～90份；

空心玻璃微珠 10～30份；

其中，所述空心玻璃微珠的直径为10～50μm。

2.根据权利要求1所述的低介电常数液晶聚合物，其特征在于，所述空心玻璃微珠的壁厚为1～2μm。

3.根据权利要求1所述的低介电常数液晶聚合物，其特征在于，所述空心玻璃微珠的型号选自3M iM16K、SHENNA K80、3M VS5500、3M S60HS、3MK46的任意一种。

4.根据权利要求1～3任一所述的低介电常数液晶聚合物，其特征在于，所述低介电常数液晶聚合物还包括0-30份填料。

5.根据权利要求4所述的低介电常数液晶聚合物，其特征在于，所述填料选自滑石粉、晶须、硅灰石、云母、二氧化钛、炭黑、碳酸钙、粘土、硫酸钡、二氧化硅的至少一种。

6.一种低介电常数液晶聚合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

依权利要求1～5任一所述的低介电常数液晶聚合物称取各组分；

将所述全芳香族液晶聚酯树脂、所述空心玻璃微珠进行干燥处理；

将干燥处理后的所述全芳香族液晶聚酯树脂、所述空心玻璃微珠进行混合处理，得到第一混合物；

将所述第一混合物进行熔融混炼，再经过挤出，拉条，冷却，造粒得到所述低介电常数液晶聚合物。

7.根据权利要求6所述的低介电常数液晶聚合物的制备方法，其特征在于，所述干燥处理的温度为130～160℃。

8.根据权利要求6所述的低介电常数液晶聚合物的制备方法，其特征在于，所述全芳香族液晶聚酯树脂的制备方法包括如下步骤：

提供至少2种单体物质，进行缩聚反应制备得到全芳香族液晶聚酯预聚物；

将所述全芳香族液晶聚酯预聚物进行固相缩聚反应，制备得到所述全芳香族液晶聚酯树脂。

9.根据权利要求8所述的低介电常数液晶聚合物的制备方法，其特征在于，进行缩聚反应制备得到全芳香族液晶聚酯预聚物的步骤中，所述缩聚反应选自溶液缩聚法或本体缩聚法。

10.根据权利要求8所述的低介电常数液晶聚合物的制备方法，其特征在于，采用酰基化试剂对所述单体物质进行预处理。