[发明专利]一种OLED发光面板在审
申请号: | 201911372667.3 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111048572A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 朱映光;郭立雪;张国辉;胡永岚;陈旭;于永超 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/532;H01L23/528 |
代理公司: | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 发光 面板 | ||
1.一种OLED发光面板,包括基板(1)及设置于所述基板(1)上的多块呈阵列分布的发光区(2),各所述发光区(2)分别设有与其对应电连接的引线结构(4),其特征在于,所述引线结构(4)包括层叠的引线层(41)和绝缘层(42),所述绝缘层(42)设置于相邻两引线层(41)之间,各所述引线层(41)引出后与对应的所述发光区(2)一一电性连接。
2.根据权利要求1所述的OLED发光面板,其特征在于,所述引线结构(4)设置于各个发光区(2)的背侧,所述引线结构(4)沿着呈阵列分布发光区(2)的横向或纵向分布。
3.根据权利要求1所述的OLED发光面板,其特征在于,所述引线结构(4)分布于呈阵列分布的所述发光区(2)之间所形成的阵列间隙(3)中,且与各所述发光区(2)对应的电极引线呈电性连接,各引线层(41)从侧面引出后与对应的发光区(2)一一电性连接。
4.根据权利要求2或3所述的OLED发光面板,其特征在于,在垂直于所述基板(1)一侧方向上,各排所述发光区(2)由所述基板(1)的一端至其另一端呈阶梯分布,相邻两排所述发光区之间通过透明绝缘层(6)隔离。
5.根据权利要求4所述的OLED发光面板,其特征在于,在垂直于基板(1)一侧方向上,相邻两排所述发光区(2)之间呈现阵列间隙、无缝对接和端部搭接中的一种或几种的组合。
6.根据权利要求3所述的OLED发光面板,其特征在于,所述引线层(41)的侧面引出线位置所对应的下方绝缘层(42)边缘处成型有供所述引线层(41)电极引出的防断路搭接面(5)。
7.根据权利要求6所述的OLED发光面板,其特征在于,所述绝缘层(42)边缘处所形成的防断路搭接面(5)所对应的角度为1°~85°。
8.根据权利要求6所述的OLED发光面板,其特征在于,所绝缘层(42)的横截面为一梯形和/或圆弧面。
9.根据权利要求6-8任一所述的OLED发光面板,其特征在于,靠近所述基板(1)的所述引线层(41)长度大于远离所述基板(1)的所述引线层(41)长度。
10.根据权利要求9所述的OLED发光面板,其特征在于,较长引线层的线宽大于较短引线层的线宽。
11.根据权利要求9所述的OLED发光面板,其特征在于,所述发光区(2)之间所形成的阵列间隙(3)中设有若干组所述引线结构(4),各所述引线结构(4)中的引线层(41)分别与各所述发光区(2)的电极引线形成一一对应电性连接。
12.根据权利要求1所述的OLED发光面板,其特征在于,所述引线层(41)为金属氧化物或者金属及其合金材料,其方阻0.01Ω/□-30Ω/□,引线长宽比300>a/b>1。
13.根据权利要求1所述的OLED发光面板,其特征在于,所述绝缘层(42)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及硅氧烷中的一种或几种。
14.根据权利要求1所述的OLED发光面板,其特征在于,所述发光区(2)形状为矩形、三角形、平行四边形和多边形中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的