[发明专利]非易失性存储器装置、存储装置和存储器控制器操作方法在审
申请号: | 201911372381.5 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111833929A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 郑凤吉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C8/10 | 分类号: | G11C8/10;G11C7/10;G11C7/22;G06F12/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张川绪;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 存储 存储器 控制器 操作方法 | ||
1.一种非易失性存储器装置,包括:
命令解码器,被配置为接收并且解码第一命令和第二命令;
第一控制电路,被配置为在解码第一命令的命令解码器的控制下生成第一控制信息;
第二控制电路,被配置为在解码第二命令的命令解码器的控制下生成第二控制信息;
第一存储体,包括基于第一控制信息操作的第一存储器单元;以及
第二存储体,包括基于第二控制信息操作的第二存储器单元,其中
响应于第一命令从第一存储体输出数据所需的第一时间不同于响应于第二命令从第二存储体输出数据所需的第二时间。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:
第一读取电路,被配置为生成针对第一存储器单元的第一读取信号,其中,第一读取信号具有根据第一控制信息确定的第一幅度;以及
第二读取电路,被配置为生成针对第二存储器单元的第二读取信号,其中,第二读取信号具有根据第二控制信息确定的第二幅度,第二幅度不同于第一幅度。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:
第一读取电路,被配置为生成针对第一存储器单元的第一读取信号,其中,第一读取信号具有根据第一控制信息确定的第一脉冲周期;以及
第二读取电路,被配置为生成针对第二存储器单元的第二读取信号,其中,第二读取信号具有根据第二控制信息确定的第二脉冲周期,第二脉冲周期不同于第一脉冲周期。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置,其中,第一控制电路被配置为从包括在第一存储体中的至少一个第三存储器单元加载第一脉冲周期的值。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中:
命令解码器被配置为从主机接收针对第一存储体的更新请求;
第一控制电路被配置为在接收更新请求的命令解码器的控制下存储第二控制信息而非第一控制信息;并且
第一存储体的第一存储器单元被配置为响应于命令解码器从主机接收到针对第一存储体的第一存储器单元的第三命令,基于第二控制信息而非第一控制信息进行操作。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,还包括:
第一列解码器,被配置为响应于第一控制信息进行操作,其中,第一列解码器被配置为:
在待机状态下,对与第一存储器单元连接的位线进行放电,并且
在接收到来自主机的读取请求之后,对与第一存储单元连接的位线进行预充电;以及
第二列解码器,被配置为响应于第二控制信息,对没有在待机状态下的与第二存储器单元连接的位线进行预充电。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,在第一存储体的第一存储器单元基于第一控制信息进行操作的同时,第二存储体的第二存储器单元基于第二控制信息进行操作。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,第一存储器单元和第二存储器单元是相变随机存取存储器单元。
9.一种与存储器装置连接的存储器控制器的操作方法,所述方法包括:
将存储器装置的多个存储体划分成在第一模式下操作的存储体和在与第一模式不同的第二模式下操作的存储体;
从主机接收与第一模式对应的第一请求,并且响应于第一请求将与在第一模式下操作的存储体中的第一存储体对应的第一存储体地址发送到存储器装置;并且
还从主机接收与第二模式对应的第二请求,并且响应于第二请求将与在第二模式下操作的存储体中的第二存储体对应的第二存储体地址发送到存储器装置。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
从主机接收第三请求;并且
将所述多个存储体划分成在第一模式下操作的存储体、在第二模式下操作的存储体和在第三模式下操作的存储体。
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