[发明专利]Micro LED的转移方法

权利要求书

1.一种Micro LED的转移方法，其特征在于，包括：

提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管；

将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层，所述芯片层包括阵列分布的多个Micro LED芯片，且数量大于所述薄膜晶体管的数量，所述Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片，所述第一Micro LED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极对应；

将掩膜版转移至所述转移板远离所述阵列基板的一侧，所述掩膜版的开口区与所述第一Micro LED芯片对应；

通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描，将所述第一Micro LED芯片从所述缓冲层剥离至所述粘结层上；

将所述第一Micro LED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极电性连接。

2.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管的步骤包括：在所述阵列基板一侧设置材料为异方性导电胶的粘结层。

3.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管的步骤包括：在所述阵列基板一侧设置材料为非导电胶的粘结层。

4.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层的步骤包括：将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有材料为氮化镓的缓冲层。

5.如权利要求4所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描，将所述第一Micro LED芯片从所述缓冲层剥离至所述粘结层上的步骤包括：通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描，将所述开口区对应的缓冲层分解。

6.如权利要求5所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，在所述通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描，将所述第一Micro LED芯片从所述缓冲层剥离至所述粘结层上的步骤之后，还包括：用盐酸清洗所述粘结层上的第一Micro LED芯片表面。

7.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述将掩膜版转移至所述转移板远离所述阵列基板的一侧的步骤包括：将掩膜版转移至所述转移板远离所述阵列基板的一侧，所述掩膜板包括层叠设置的基底和镀膜层，所述镀膜层靠近所述转移板，所述基底和所述转移板对激光的透过率相同。

8.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描的步骤包括：使用激光发射器对所述掩膜板进行整面扫描。

9.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描的步骤包括：使用激光发射器对所述掩膜板的开口区进行扫描。

10.如权利要求1所述的Micro LED的转移方法，其特征在于，所述将所述第一MicroLED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极电性连接的步骤包括：对所述第一MicroLED芯片进行加压和加热处理，将所述第一Micro LED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极电性连接。