[发明专利]一种显示面板及显示面板制程方法有效
申请号: | 201911371437.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111129350B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 向昌明 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
有机发光半导体器件层,所述有机发光半导体器件层包括相对设置的第一面和第二面;
第一阻隔层,所述第一阻隔层设置在所述第一面上;
紫外保护层,所述紫外保护层设置在所述第一阻隔层远离所述第一面的一侧,所述紫外保护层包括紫外光响应分子,所述紫外光响应分子在紫外光照射下发生反应以消耗和吸收紫外光;
第二阻隔层,所述第二阻隔层设置在所述紫外保护层远离所述第一阻隔层的一侧;
所述紫外保护层包括可逆紫外牺牲层和不可逆紫外牺牲层;
所述可逆紫外牺牲层设置在所述第一阻隔层远离所述第一面的一侧,所述可逆紫外牺牲层的材料为偶氮苯衍生物,所述偶氮苯衍生物在紫外光照射下发生构象变化以吸收紫外光;
所述不可逆紫外牺牲层设置在所述可逆紫外牺牲层远离所述第一阻隔层的一侧,所述不可逆紫外牺牲层的材料为光裂解活性衍生物,所述光裂解活性衍生物在紫外光照射下发生光裂解反应以消耗紫外光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述可逆紫外牺牲层和所述不可逆紫外牺牲层的材料采用透光率为90%以上的透光材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述可逆紫外牺牲层厚度为150nm至350nm;所述不可逆紫外牺牲层厚度为400nm至600nm。
4.一种显示面板的制程方法,其特征在于,包括:
提供一有机发光半导体器件层,所述有机发光半导体器件层包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面设置第一阻隔层;
在所述第一阻隔层远离所述第一面的一侧设置紫外保护层,所述紫外保护层包括紫外光响应分子,所述紫外光响应分子在紫外光照射下发生反应以消耗和吸收紫外光;
在所述紫外保护层远离所述第一阻隔层的一侧设置第二阻隔层;
所述在所述第一阻隔层上设置紫外保护层包括:
在所述第一阻隔层远离所述第一面的一侧设置可逆紫外牺牲层,所述可逆紫外牺牲层的材料为偶氮苯衍生物,所述偶氮苯衍生物在紫外光照射下发生构象变化以吸收紫外光;
在所述可逆紫外牺牲层远离所述第一阻隔层的一侧设置不可逆紫外牺牲层,所述不可逆紫外牺牲层的材料为光裂解活性衍生物,所述光裂解活性衍生物在紫外光照射下发生光裂解反应以消耗紫外光。
5.根据权利要求4所述的制程方法,其特征在于,在所述第一阻隔层上设置可逆紫外牺牲层,在所述可逆紫外牺牲层上设置不可逆紫外牺牲层以及在所述紫外保护层上设置第二阻隔层的方法为溶液加工法。
6.根据权利要求5所述的制程方法,其特征在于,所述可逆紫外牺牲层材料溶液浓度为10至20mg/ml;所述不可逆紫外牺牲层材料溶液浓度为40至60mg/ml。
7.根据权利要求4所述的制程方法,其特征在于,所述可逆紫外牺牲层厚度为150nm至350nm;所述不可逆紫外牺牲层厚度为400nm至600nm。
8.根据权利要求4所述的制程方法,其特征在于,在所述紫外保护层上设置第二阻隔层之后,还包括:对所述有机发光半导体器件层、所述第一阻隔层、所述紫外保护层以及所述第二阻隔层进行固化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择