[发明专利]半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备

说明书

一种半导体设备的介质窗的清洗方法,该半导体设备包括：反应腔室、介质窗、感应线圈、清洗电极、射频源组件以及阻抗调节组件。射频源组件用于向感应线圈以及清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件与清洗电极电连接，并与射频源的输出端可通断地连接。该清洗方法包括：通过调节阻抗调节组件使得射频源组件的输出端与清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，以使射频功率加载于感应线圈之上实现反应腔室内等离子体起辉；以及通过调节阻抗调节组件使得阻抗小于第一预设值，以使射频功率加载于清洗电极上，以维持等离子体实现对介质窗进行清洗。

技术领域

本发明是有关于半导体加工领域，详细来说，是有关于一种半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备。

背景技术

半导体加工设备在对工作件(如晶圆)进行加工，举例来说，对工作件(如晶圆)进行刻蚀时，因刻蚀所产生的反应副产物、等离子体轰击工作件(如晶圆)所产生的掩膜或工作件(如晶圆)所溅射出来的固形物等会附着于腔室内壁上，其中，介电窗作为射频功率馈入腔室的通道，介电窗上附着物的沉积情况将严重影响对工作件(如晶圆)进行加工的工艺结果。然而，目前的半导体加工设备针对介电窗的清洗效率并不显著，长久下来将造成半导体加工设备的工艺效果降低。

发明内容

本发明公开一种半导体设备的介质窗的清洗方法以及相关半导体加工设备，来解决背景技术中的问题，如避免介电窗上附着物的沉积情况影响工作件(如晶圆)的工艺结果。

依据本发明的一实施例，公开一种半导体设备的介质窗的清洗方法。所述半导体设备包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗；感应线圈和清洗电极，置于所述介电窗之上；射频源组件，所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件，所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接。所述清洗方法包括：通过调节所述阻抗调节组件，使得所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗大于第一预设值，以使所述射频功率加载于所述感应线圈之上，实现所述反应腔室内等离子体起辉；以及通过调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于第一预设值，以使所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体实现对所述介质窗进行清洗。

本实施例所公开的清洗方法通过调节射频源组件与电极之间的阻抗的技术手段来加入物理清洗及化学清洗的效果，进而大幅增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。

依据本发明的一实施例，公开一种半导体加工设备，包括：反应腔室以及设置在所述反应腔室中的介质窗、置于所述介电窗之上的感应线圈和清洗电极、射频源组件以及阻抗调节组件。所述射频源组件用于向所述感应线圈以及所述清洗电极加载射频功率。所述阻抗调节组件与所述清洗电极电连接，并与所述射频源的输出端可通断地连接。所述阻抗调节组件用于调节所述射频源组件的输出端与所述清洗电极之间的阻抗；当阻抗调节组件与所述射频源组件的输出端连通时，调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗大于第一预设值，所述射频功率加载于所述感应线圈之上并将所述射频功率耦合至所述介电窗下方实现等离子体起辉；调节所述阻抗调节组件使得所述阻抗小于第一预设值，所述射频功率加载于所述清洗电极上，以维持所述等离子体以对所述介质窗进行清洗。

本实施例所公开的半导体加工设备利用调节射频源组件与电极之间的阻抗的技术手段来同时加入物理清洗及化学清洗的效果，进而大幅增加对介电窗的清洗效率，避免介电窗上的附着物影响对工作件(如晶圆)的工艺结果。

附图说明

图1是依据本发明一实施例之半导体加工设备的示意图。

图2是依据本发明一实施例之阻抗调节组件的示意图。

图3是依据本发明另一实施例之阻抗调节组件的示意图。

图4是依据本发明一实施例之电极的结构示意图。

图5是依据本发明一实施例之半导体设备的介电窗的清洗方法流程图。

具体实施方式