[发明专利]等离子体处理设备有效
申请号: | 201911370597.8 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN113053713B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 魏强;黄允文;郭盛 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李带娣 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
1.一种等离子体处理设备,其特征在于,包括:
反应腔(10);
基座(9),位于所述反应腔(10)内底部,其内具有冷却通道;
设备板(2),位于所述基座(9)的下方;
静电夹盘(1),位于所述基座(9)上,用于吸附待处理基片(W);
射频杆(5),与所述设备板(2)连接;
射频电源(20),通过匹配器与所述射频杆(5)连接;
绝缘管道(4),通过所述设备板(2)上的通道连接所述冷却通道,用于输送绝缘液体;
抗静电涂层(42),涂覆于所述绝缘管道的内壁和/或外壁,包括绝缘基体和抗静电剂,所述抗静电剂的浓度范围为1%~20%,所述抗静电涂层接地;
其中,所述抗静电剂包括烷基季铵、磷或鏻盐烷基季铵、磷或鏻盐、烷基磺酸、磷酸或二硫代氨基甲酸的碱金属盐、乙氧基化脂肪族烷基胺其中一种或几种。
2.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述抗静电涂层(42)布置于所述绝缘管道(4)的内壁局部或者/和外壁局部;或者/和,
所述抗静电涂层(42)布置于所述绝缘管道的内壁整体或者/和外壁整体。
3.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述绝缘管道整个外壁设置所述抗静电涂层(42),所述绝缘管道与所述设备板(2)之间通过金属接头配合连接,所述抗静电涂层(42)部分与所述金属接头接触,所述绝缘管道通过所述金属接头连通内壁和外壁。
4.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其特征在于,混合均匀的所述绝缘基体和抗静电剂涂覆于所述绝缘管道上。
5.如权利要求1所述的等离子体处理设备,其特征在于,还包括隔离块(6),所述射频杆(5)的内端连接所述设备板(2),外端部分管段穿过所述隔离块(6)连接于接地部件。
6.如权利要求1至5任一项所述的等离子体处理设备,其特征在于,还包括金属流量计,位于所述反应腔外部且设置于所述绝缘管道(4)与所述外部冷却设备的连接管路,所述绝缘管道还包括外端接口段,用于与所述金属流量计配合安装,所绝缘管道(4)的抗静电涂层(42)部分与所述金属流量计接触,所述金属流量计接地设置。
7.如权利要求6所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述抗静电涂层(42)由与所述设备板(2)接触的位置沿轴向延伸至所述外端接口段。
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