[发明专利]一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法

说明书

本发明提供一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法，包括机架、升降机构、进料台、浸泡罐、排液系统、操作面板，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；所述升降机构设置于所述机架的一侧；所述进料台设置于所述机架的上部；所述进料台与所述升降机构连接，可相对升降；所述浸泡罐设置于所述进料台的下方；所述浸泡罐内设置有加热棒和液位控制装置；所述排液系统设置于所述浸泡罐的下方；所述操作面板用于控制所述升降机构、所述加热棒和所述液位控制装置。本发明采用热水浸泡式去胶方式，相较于进口设备的风刀式去胶方式，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其是涉及一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法。

背景技术

目前，半导体晶圆片的生产已慢慢进入大直径化，硅晶圆制造作为半导体产业重要环节，也迎来了发展机遇。国内已有数家企业开始进行300mm硅片的扩产。由于半导体行业所使用加工设备多为进口设备，如大直径硅圆片切割后的去胶清洗设备价格均值千万以上，对生产成本带来极大负担；进口的去胶设备体积较大，不仅需要占用较多的生产面积，还需专人操作维护，浪费人工；进口设备采用的是风刀式去胶方式，单颗大直径硅圆片的加工时间长，生产效率低。

发明内容

针对现有的去胶设备存在的不足，本发明旨在提供一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种大直径硅圆片的去胶设备，包括：

机架，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；

升降机构，所述升降机构设置于所述机架的一侧；

进料台，所述进料台设置于所述机架的上部；所述进料台与所述升降机构连接，可相对升降；

浸泡罐，所述浸泡罐设置于所述进料台的下方；所述浸泡罐内设置有加热棒和液位控制装置；

排液系统，所述排液系统设置于所述浸泡罐的下方；

操作面板，所述操作面板用于控制所述升降机构、所述加热棒和所述液位控制装置。

进一步地，所述操作面板上设置有数显温控器和限位开关，所述数显温控器用于控制所述浸泡罐内的温度；所述限位开关用于控制所述提升机构的高低位。

更进一步地，所述数显温控器通过调节所述加热棒使所述浸泡罐内的温度为70-90℃。

进一步地，所述排液系统包括排水阀和漏斗，所述排水阀设置于所述漏斗下方；所述漏斗设置于所述浸泡罐的底部。

一种大直径硅圆片的去胶设备的使用方法，使用如上所述的去胶设备，步骤包括：

将大直径硅圆片放置于所述进料台上，通过所述操作面板控制所述升降机构，将所述进料台下降至所述浸泡罐的底部。

进一步地，在所述大直径硅圆片放置于所述进料台上之前，将所述大直径硅圆片表面的硅粉砂浆混合物冲洗干净。

进一步地，将大直径硅圆片放置于所述进料台上，通过所述操作面板控制所述升降机构，将所述进料台下降至所述浸泡罐的底部之后，所述浸泡罐内的温度范围为70-90℃，浸泡时间为15-25min。

由于采用上述技术方案，本发明涉及的大直径硅圆片的去胶设备，采用的是热水浸泡式去胶方式，与进口设备采用的是风刀式去胶方式相比，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。

附图说明

图1是本发明的一种实施例的结构示意图；