[发明专利]自适应低密度奇偶校验硬解码器在审
申请号: | 201911367764.3 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN112562772A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 张帆;熊晨荣;吕宣宣 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵永莉;张澜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自适应 密度 奇偶校验 解码器 | ||
本申请公开了一种自适应低密度奇偶校验硬解码器以及一种对从存储器装置读取的数据进行解码的方法、系统和装置,包括:从存储器装置的字线区域中包括的第一存储器位置接收噪声数据;识别字线区域和与该字线区域相关联的先前成功的解码器参数;使用针对相同字线区域中包括的第二存储器位置的先前成功解码中使用的先前成功的解码器参数来对噪声数据解码;确定基于先前成功的解码器参数的解码是否已成功;在确定解码已成功时,保持先前成功的解码器参数作为第一存储器位置的解码器参数;并且在确定解码已失败时,通过使用从预定义解码器参数的集合中选择的另一解码器参数来对从第一存储器位置读取的噪声数据解码。
技术领域
本专利文件涉及一种半导体存储器和包括该半导体存储器的数据存储装置。
背景技术
随着对大容量数据存储装置的需求增加,半导体制造商持续开发能够实现高容量数据存储装置的新技术,包括垂直地堆叠多个存储器单元层的三维(3D)闪速存储器堆叠技术以及使每个存储器单元能够存储两位或更多位信息的多层单元(MLC)编程技术。
然而,每个存储器单元存储的位的数量增加和存储器单元阵列的密度增加,可能使得数据存储装置更易于由于MLC存储器单元的密集的阈值电压分布和在密集的存储器阵列中的相邻存储器单元之间的干扰而发生错误。从这种高容量数据存储装置读取的信息通常由错误校正码(ECC)解码器处理,以校正可能引入所存储的信息中的错误。
发明内容
除了其它特征和优点之外,所公开技术的实施例提供了基于存储器装置中的操作条件和数据的物理位置而自适应低密度奇偶校验(LDPC)解码器参数的方法和系统。
在所公开技术的实施例中,一种对从存储器装置读取的数据进行解码的方法包括:从存储器装置的物理位置区域(在本文中也可被称为字线区域)中包括的第一存储器位置接收噪声数据;识别物理位置区域和与所识别的物理位置区域相关联的先前成功的解码器参数;使用针对相同物理位置区域中包括的第二存储器位置的先前成功解码中使用的先前成功的解码器参数来对从第一存储器位置读取的噪声数据进行解码;确定使用先前成功的解码器参数的解码是否已成功;在确定解码已成功时,保持先前成功的解码器参数作为第一存储器位置的解码器参数;并且在确定软解码操作已失败时,通过使用从预定义解码器参数的集合中选择的另一解码器参数来对从第一存储器位置读取的噪声数据进行解码。
在所公开技术的另一实施例中,一种设置解码器参数的方法,解码器参数用于对从存储器装置读取的数据进行解码,该方法包括:将存储器装置划分成多个字线区域;获得为校正从存储器装置的字线区域中包括的存储器位置读取的数据中的错误符号而产生的解码器参数设置的列表;在接收到请求对字线区域中包括的存储器单元进行读取操作的读取命令时,使用该列表中的解码器参数设置中的一个来对从存储器单元读取的数据进行解码;确定所使用的解码器参数设置是否已成功地对从存储器装置的字线区域中的存储器单元读取的噪声数据进行解码;并且在确定实现成功解码时,存储实现成功解码的解码器参数设置。
在所公开技术的又一实施例中,一种系统包括:非暂时性计算机可读介质,存储指令;以及处理器,与非暂时性计算机可读介质通信,其中在处理器运行指令时,该指令使该处理器:从存储器装置的字线区域中包括的第一存储器位置接收噪声数据,识别字线区域和与所识别的字线区域相关联的先前成功的解码器参数,使用针对相同字线区域中包括的第二存储器位置的先前成功解码中使用的先前成功的解码器参数来对从第一存储器位置读取的噪声数据进行解码,确定使用先前成功的解码器参数的解码是否已成功,在确定解码已成功时,保持先前成功的解码器参数作为第一存储器位置的解码器参数,并且当确定解码操作已失败时,通过使用从预定义解码器参数的集合中选择的另一解码器参数来对从第一存储器位置读取的噪声数据进行解码。
本专利文件中描述的主题可以提供一个或多个以下特征的特定方式来实施。
附图说明
图1示出基于所公开技术的一些实施例来实施的存储器系统的示例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911367764.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:嵌件模制装置
- 下一篇:接纱装置和具有接纱装置的经编机