[发明专利]一种晶圆级封装芯片及方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，具体步骤包括：

S1：在硅基底上制作集成电路形成晶圆，将晶圆与玻璃临时键合在一起，对硅基底进行减薄处理；

S2：在晶圆硅基底上设置图形化结构的增粘层，并裸露出部分晶圆表面；

S3：在硅基底上开设TSV孔，且使得TSV孔底部局部或者全部漏出集成电路上的接地焊垫；

S4:晶圆背面以及TSV孔内壁制作一层种子层，在种子层上沉积一层金属背金层；

S5:晶圆与玻璃拆除键合得到封装晶圆，并将获得的封装晶圆切割成单颗芯片。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S1中，晶圆与玻璃通过临时键合材料进行临时键合。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S1中，采用机械研磨方式、机械化学研磨抛光方式、等离子体干法蚀刻方式或者湿法腐蚀方式中的一种或者多种方式将晶圆减薄至厚度为50-200μm。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S2中，增粘层为有机材料或者二氧化硅材料中的任意一种，对设置在晶圆上的增粘层形成形状为方形、圆形或不规则多边形用以裸露出部分晶圆表面。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S3包括：

S31：去除接地焊垫上方的晶圆以形成TSV孔，TSV孔呈现梯形状，TSV孔的上开口宽度大于下开口宽度；

S32：去除接地焊垫上方的内部绝缘层，使得TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊垫。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S4具体包括：

S41：采用磁控溅射方式在晶圆背面以及TSV孔内壁沉积一层种子层，种子层厚度为0.05-3μm；

S42：采用电镀方式或化学镀方式在种子层的表面沉积导电金属以形成背金层。

7.一种晶圆级封装芯片，其特征在于，包括晶圆，所述晶圆包括硅基底以及集成电路，所述集成电路设置在所述硅基底上，所述集成电路包括内部绝缘层、接地焊垫、信号焊垫，所述内部绝缘层设置在所述硅基底上，所述接地焊垫、信号焊垫设置在所述内部绝缘层上，所述硅基底上设置有增粘层，所述晶圆上设置有TSV孔，所述TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊垫，所述硅基底背面以及TSV孔内壁上设置有种子层，所述种子层上设置有背金层。

8.如权利要求7所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述硅基底厚度为50-200μm；所述增粘层厚度为0.14-20μm。

9.如权利要求7所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述增粘层的形状为方形、圆形或不规则多边形。

10.如权利要求7所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述TSV孔呈梯形结构，其上开口宽度大于下开口宽度，其上开口形状可以为圆形、方形或者多边形。