[发明专利]一种历史数据存储管理方法

说明书

本发明为一种历史数据存储管理方法，包括以下步骤：初始化存储介质；在存储介质中查找执行本次写入操作的写入逻辑地址；将数据写入到查找到的逻辑地址中，并更新下一次写入操作的写入逻辑地址；重复步骤S3直至所有数据写入完成。本发明的优点是：在进行写入逻辑地址确认时，对上一次写入操作过程进行掉电确认，弥补因掉电发生的标记缺少，能够在随机掉电的情况下确保系统稳定运行；在存储介质存满时，先擦除下一个存储介质擦除最小单元再在下次写入时修改被擦除的存储介质擦除最小单元的上一个存储介质擦除最小单元的存储页写满标志，能够优化MCU执行时间片段，提高系统性能，避免因擦除失败出现非法情况导致所有数据丢失。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种历史数据存储管理方法。

背景技术

历史数据存储可以分为内部存储(自己存储)和外部存储(借用专用设备存储)。

对高级嵌入式设备，比如手机，平板电脑等，使用的是内部存储方式，这类设备本身具备较大的存储空间，性能较强的MCU，所以都会采用文件系统，但是这种方案对于硬件平台要求较高，软硬件复杂，系统庞大，成本高，不适合普通单片机系统。

外部存储方式使用专用数据记录设备DTU(俗称抓包盒)，比如记录CAN报文:ECU通过CAN总线把需要记录的数发出来，DTU接收后把数据全部存起来，这种方式需要实时外接DTU设备，一般调试阶段使用，不适合产品发布后使用，除此之外，这种方式系统集成度低，DTU设备成本较高，外部还需要额外的通讯连接，不能将历史数据存储功能集成到系统中。

发明内容

本发明主要解决了上述问题，提供了一种硬件要求低、不需要文件管理系统、支持系统随机掉电不崩溃的历史数据存储管理方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是,一种历史数据存储管理方法，包括以下步骤：

S1：初始化存储介质；

S2：在存储介质中查找执行本次写入操作的写入逻辑地址；

S3：将数据写入到查找到的逻辑地址中，并更新下一次写入操作的写入逻辑地址；

S4：重复步骤S3直至所有数据写入完成。

能够直接基于单片机和FLASH实现，不需要复杂的文件管理系统，不需要依靠TF卡或EMMC。

作为上述方案的一种优选方案，所述步骤S2中查找写入逻辑地址包括以下步骤：

S21：确定目标存储介质擦除最小单元；

S22：根据目标存储介质擦除最小单元中的数据存储情况确定写入逻辑地址。

作为上述方案的一种优选方案，所述步骤S21中确定目标存储介质擦除最小单元包括以下步骤：

S211：从存储区第一个存储介质擦除最小单元开始依次向后查找存储页写满标志为有效的存储介质擦除最小单元；若找到，则进入步骤S213；若没找到，则进入步骤S212；

S212：设置第一个存储介质擦除最小单元为目标存储介质擦除最小单元；