[发明专利]3D存储器件的失效定位方法在审
| 申请号： | 201911366197.X | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111179995A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 官绪冬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 失效 定位 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D存储器件的失效定位方法，所述3D存储器件包括存储单元阵列和位于所述存储单元阵列上方的CMOS电路，所述存储单元阵列和所述CMOS电路通过互联结构电连接，所述互联结构包括金属层，所述失效定位方法包括：
去除所述CMOS电路，以暴露出所述互联结构中的互联金属层；
使用聚焦离子束机台，在与失效的位线电连接的金属层上沉积金属垫体；
通过微光显微镜向所述金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；
通过所述微光显微镜，在失效点处用激光标记热点信号；
使用所述聚焦离子束机台在所述激光标记处进行剖面切削，同时观察所述失效点，制备透射电子显微镜试片；以及
使用所述透射电子显微镜对所述试片进行表征。
2.根据权利要求1所述的失效定位方法，其中，在失效点处标记激光标记具体为：给失效点标记十字交叉形的激光标记，所述标记的精确度达到1μm。
3.根据权利要求1或2所述的失效定位方法，其中，所述失效是短路。
4.根据权利要求1所述的失效定位方法，其中，所述存储单元阵列中沿一方向排布的存储单元电连接至一条位线，所述3D存储器件存在位线失效。
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