[发明专利]一种碳化硅MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，包括抗桥臂串扰电路，所述抗桥臂串扰电路包括驱动芯片U1、电容C5和开关管T1，所述驱动芯片U1的输出端与所述电容C5的一端相连，并与碳化硅MOSFET的栅极相连；所述电容C5的另一端与所述开关管T1的集电极相连，所述开关管T1的发射极与所述碳化硅MOSFET的源极相连且与接地端GND3相连，所述开关管T1的基极与所述碳化硅MOSFET的栅极相连；

还包括栅极保护电路，所述栅极保护电路包括二极管D2和二极管D3，所述二极管D2的负极和所述二极管D3的正极与所述碳化硅MOSFET的栅极相连，所述二极管D2的正极连接有电源VEE3，所述二极管D3的负极连接有电源VCC3。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的输出端与所述碳化硅MOSFET的栅极之间设置有共模电感L2，所述共模电感L2的第一绕线串联于所述驱动芯片U1的输出端与所述碳化硅MOSFET的栅极之间，所述共模电感L2的第二绕线的一端与所述驱动芯片U1的GND2相连，另一端与所述碳化硅MOSFET的源极相连。

3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的输出端包括第一输出端OUT1和第二输出端OUT2，所述第一输出端OUT1经电阻R3与共模电感L2的第一绕线的一端相连，所述第二输出端OUT2经电阻R4与共模电感L2的第一绕线的一端相连。

4.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片U1的电源输入端连接有电源VCC1，所述电源VCC1与驱动芯片U1的电源输入端之间串联共模电感L1，所述电源VCC1与地GND之间设有电容C1，所述电容C1的一端与电源VCC1相连，另一端与地GND相连；所述共模电感L1的第一绕线的一端与电源VCC1相连，另一端与驱动芯片U1的电源输入端相连，所述共模电感L1的第二绕线的一端与地GND相连，另一端与驱动芯片U1的GND端相连。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括共模电感L3；所述驱动芯片U1的VCC2端连接有电源VCC2，所述驱动芯片U1的VEE2端连接有电源VEE2，所述电源VCC2和电源VCC3分别位于共模电感L3的第一绕线的两端，所述电源VEE2和电源VEE3分别位于共模电感L3的第二绕线的两端。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括有源钳位电路，所述有源钳位电路包括钳位二极管D4和电容C6；所述钳位二极管D4的两端分别与所述碳化硅MOSFET的漏极与栅极相连，所述电容C6与钳位二极管D4并联。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，还包括短路保护电路，所述短路保护电路包括电容C3、电阻R2和二极管D1，所述驱动芯片U1的SC端依次经所述电阻R2和二极管D1与所述碳化硅MOSFET的漏极相连，所述二极管D1的正极与所述电阻R2相连，负极与所述碳化硅MOSFET的漏极相连；所述电容C3的一端与驱动芯片U1的SC端相连，另一端与GND2相连。