[发明专利]具有热沉的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：

衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

半导体管芯，所述半导体管芯耦接到所述衬底的所述第二表面；

模塑件，所述模塑件包封所述半导体管芯和所述衬底的大部分，所述第一表面的至少一部分通过所述模塑件暴露，使得所述衬底被配置成充当热沉。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底包括在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的通孔，所述半导体封装还包括：

金属迹线，所述金属迹线耦接到所述衬底的所述第一表面，所述金属迹线的至少一部分通过所述模塑件暴露。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体管芯是第一半导体管芯，所述半导体封装还包括：

第二半导体管芯，所述第二半导体管芯耦接到所述衬底的所述第二表面；和

第三半导体管芯，所述第三半导体管芯耦接到所述衬底的所述第二表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

第一金属迹线，所述第一金属迹线耦接到所述衬底的所述第二表面；

第二金属迹线，所述第二金属迹线耦接到所述第一金属迹线，所述半导体管芯耦接到所述第二金属迹线。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

引线框架部分，所述引线框架部分耦接到所述衬底；

无源器件，所述无源器件耦接到所述引线框架部分。

6.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：

衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

引线框架部分，所述引线框架部分耦接到所述衬底；

第一金属迹线，所述第一金属迹线耦接到所述衬底的所述第一表面；

至少一个第二金属迹线，所述至少一个第二金属迹线耦接到所述衬底的所述第二表面；

半导体管芯，所述半导体管芯耦接到所述至少一个第二金属迹线；和

模塑件，所述模塑件包封所述半导体管芯和所述衬底的大部分，所述第一金属迹线的至少一部分通过所述模塑件暴露，使得所述衬底被配置成充当热沉。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述衬底包括将所述引线框架部分连接到所述第一金属迹线的通孔，其中，所述至少一个第二金属迹线包括两个堆叠金属迹线，所述半导体封装还包括：

电容器，所述电容器耦接到所述引线框架部分或所述衬底。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述半导体管芯是第一半导体管芯，所述半导体封装还包括：

第二半导体管芯，所述第二半导体管芯耦接到所述至少一个第二金属迹线；和

第三半导体管芯，所述第三半导体管芯耦接到所述至少一个第二金属迹线，

其中，所述第一半导体管芯为低侧半导体管芯，所述第二半导体管芯为高侧半导体管芯，并且所述第三半导体管芯为驱动器集成电路管芯。

9.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底具有在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的通孔；

引线框架部分，所述引线框架部分耦接到所述衬底的所述第二表面；

金属迹线，所述金属迹线耦接到所述衬底的所述第一表面，所述通孔将所述金属迹线连接到所述引线框架部分；

高侧半导体管芯，所述高侧半导体管芯耦接到所述衬底的所述第二表面；

低侧半导体管芯，所述低侧半导体管芯耦接到所述衬底的所述第二表面；

模塑件，所述模塑件包封所述半导体管芯和所述衬底的大部分，所述金属迹线的至少一部分通过所述模塑件暴露，使得所述衬底被配置成充当热沉。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括：

第一无源器件，所述第一无源器件耦接到所述衬底；

第二无源器件，所述第二无源器件耦接到所述衬底；

驱动器集成电路管芯，所述驱动器集成电路管芯耦接到所述衬底的所述第二表面，

其中，所述高侧半导体管芯和所述低侧半导体管芯经由第二金属迹线和第三金属迹线耦接到所述衬底的所述第二表面，并且所述驱动器集成电路管芯经由所述第二金属迹线而不是经由所述第三金属迹线耦接到所述衬底的所述第二表面。