[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台在审
申请号: | 201911365022.7 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111430232A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 内田阳平;广瀬润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 载置台 | ||
本发明提供一种等离子体处理装置的载置台,其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件,第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外,环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔,设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部,和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧,而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。根据本发明,能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
技术领域
以下的发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台。
背景技术
在使用等离子体来处理半导体晶片等的基片的系统中,为了调整等离子体的蚀刻速度和/或蚀刻轮廓,有时在基片的径向外缘部附近配置环状的部件。
例如,专利文献1的基片处理系统中,边缘连结环部件与处理腔室内的台座的径向外缘部相邻地配置。边缘连结环部件在蚀刻时被等离子体侵蚀。因此,在专利文献1中,采用了能够用致动器使边缘连结环部件上升并用机械臂进行更换的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-146472号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的载置台和等离子体处理装置包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件,其中第2卡合部具有到达第1卡合部的下表面的贯通孔。此外,环部件载置面在与贯通孔对应的位置具有孔,设置在晶片载置面的外周侧。升降销具有与贯通孔嵌合的第1保持部,和与该第1保持部在轴向上连接且具有从第1保持部的外周突出的突出部的第2保持部。通过使第1保持部处于环部件载置面侧,而使升降销被收纳于环部件载置面的孔内。驱动机构驱动升降销使其可升降。
发明效果
依照本发明,能够容易地更换等离子体处理装置的消耗部件。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的截面图。
图2是表示实施方式的输送机构的概略结构的截面图。
图3是用于说明升降销的结构例的图。
图4A是表示使用实施方式的输送机构进行的边缘环部件输送开始时的状态例的图。
图4B是表示使用实施方式的输送机构将边缘环部件举起的状态例的图。
图4C是表示将要把实施方式的输送机构所举起的边缘环部件载置到机械臂上之前的状态例的图。
图4D是表示实施方式的输送机构所举起的边缘环部件被载置到机械臂上的状态例的图。
图4E是表示使用实施方式的输送机构进行的边缘环部件的输送完成时的状态例的图。
图5A是表示使用实施方式的输送机构进行的盖环部件输送开始时的状态例的图。
图5B是表示使用实施方式的输送机构将盖环部件举起的状态例的图。
图5C是表示将要把实施方式的输送机构所举起的盖环部件载置到机械臂上之前的状态例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造